სიახლეები

რა დეფექტები აქვს სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიურ შრეს
ადმინის მიერ 24-06-05
SiC ეპიტაქსიალური მასალების ზრდის ძირითადი ტექნოლოგია, პირველ რიგში, არის დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგია, განსაკუთრებით დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგიისთვის, რომელიც მიდრეკილია მოწყობილობის გაუმართაობისკენ ან საიმედოობის დეგრადაციისკენ. სუბსტრატის დეფექტების მექანიზმის შესწავლა ეპი...
დაწვრილებით
ოქსიდირებული მდგარი მარცვლეული და ეპიტაქსიური ზრდის ტექნოლოგია-Ⅱ
ადმინის მიერ 24-05-30
2. ეპიტაქსიალური თხელი ფირის ზრდა სუბსტრატი უზრუნველყოფს ფიზიკურ საყრდენ ფენას ან გამტარ ფენას Ga2O3 ელექტრო მოწყობილობებისთვის. შემდეგი მნიშვნელოვანი ფენა არის არხის ფენა ან ეპიტაქსიალური ფენა, რომელიც გამოიყენება ძაბვის წინააღმდეგობისა და გადამზიდველის ტრანსპორტირებისთვის. ავარიული ძაბვის გაზრდისა და მინიმიზაციის მიზნით
დაწვრილებით
გალიუმის ოქსიდის ერთკრისტალური და ეპიტაქსიალური ზრდის ტექნოლოგია
ადმინის მიერ 24-05-30
ფართო ზოლის (WBG) ნახევარგამტარებმა, რომლებიც წარმოდგენილია სილიციუმის კარბიდით (SiC) და გალიუმის ნიტრიდით (GaN) ფართო ყურადღება მიიპყრო. ხალხს დიდი მოლოდინი აქვს სილიციუმის კარბიდის გამოყენების პერსპექტივებს ელექტრო მანქანებში და ელექტრო ქსელებში, ასევე გალიუმის გამოყენების პერსპექტივებს...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?Ⅱ
ადმინის მიერ 24-05-22
ტექნიკური სირთულეები სტაბილურად მასობრივი წარმოების მაღალი ხარისხის სილიციუმის კარბიდის ვაფლების სტაბილური ეფექტურობით მოიცავს: 1) ვინაიდან კრისტალები უნდა გაიზარდონ მაღალტემპერატურულ დახურულ გარემოში 2000°C-ზე ზემოთ, ტემპერატურის კონტროლის მოთხოვნები უკიდურესად მაღალია; 2) ვინაიდან სილიციუმის კარბიდს აქვს ...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?
ადმინის მიერ 24-05-22
ნახევარგამტარული მასალების პირველი თაობა წარმოდგენილია ტრადიციული სილიციუმით (Si) და გერმანიუმით (Ge), რომლებიც წარმოადგენს ინტეგრირებული მიკროსქემის წარმოების საფუძველს. ისინი ფართოდ გამოიყენება დაბალი ძაბვის, დაბალი სიხშირის და დაბალი სიმძლავრის ტრანზისტორებსა და დეტექტორებში. ნახევარგამტარების 90%-ზე მეტი...
დაწვრილებით
როგორ მზადდება SiC მიკრო ფხვნილი?
ადმინის მიერ 24-05-13
SiC ერთკრისტალი არის IV-IV ჯგუფის ნაერთი ნახევარგამტარული მასალა, რომელიც შედგება ორი ელემენტისგან, Si და C, სტექიომეტრიული თანაფარდობით 1:1. მისი სიხისტე მხოლოდ ალმასის შემდეგაა. სილიციუმის ოქსიდის ნახშირბადის შემცირების მეთოდი SiC მოსამზადებლად ძირითადად ეფუძნება შემდეგი ქიმიური რეაქციის ფორმულას...
დაწვრილებით
როგორ ეხმარება ეპიტაქსიალური ფენები ნახევარგამტარულ მოწყობილობებს?
ადმინის მიერ 24-05-13
ეპიტაქსიალური ვაფლის სახელწოდების წარმოშობა პირველ რიგში, მოდით გავავრცელოთ მცირე კონცეფცია: ვაფლის მომზადება მოიცავს ორ ძირითად რგოლს: სუბსტრატის მომზადებას და ეპიტაქსიურ პროცესს. სუბსტრატი არის ვაფლი, რომელიც დამზადებულია ნახევარგამტარული ერთკრისტალური მასალისგან. სუბსტრატს შეუძლია პირდაპირ შევიდეს ვაფლის წარმოებაში...
დაწვრილებით
ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) თხელი ფირის დეპონირების ტექნოლოგიაში შესავალი
ადმინის მიერ 24-05-06
ქიმიური ორთქლის დეპონირება (CVD) არის თხელი ფირის დეპონირების მნიშვნელოვანი ტექნოლოგია, რომელიც ხშირად გამოიყენება სხვადასხვა ფუნქციური ფილმების და თხელი ფენის მასალების მოსამზადებლად და ფართოდ გამოიყენება ნახევარგამტარების წარმოებაში და სხვა სფეროებში. 1. CVD-ის მუშაობის პრინციპი CVD პროცესში გაზის წინამორბედი (ერთი ან...
დაწვრილებით
"შავი ოქროს" საიდუმლო ფოტოელექტრული ნახევარგამტარული ინდუსტრიის უკან: სურვილი და დამოკიდებულება იზოსტატურ გრაფიტზე
ადმინის მიერ 24-05-06
იზოსტატიკური გრაფიტი არის ძალიან მნიშვნელოვანი მასალა ფოტოელექტროსადგურებში და ნახევარგამტარებში. შიდა იზოსტატიკური გრაფიტის კომპანიების სწრაფი ზრდის გამო, ჩინეთში უცხოური კომპანიების მონოპოლია დაირღვა. უწყვეტი დამოუკიდებელი კვლევისა და განვითარებისა და ტექნოლოგიური მიღწევებით,...
დაწვრილებით