სიახლეები

სპეციალური გრაფიტის სახეები
ადმინის მიერ 24-06-17
სპეციალური გრაფიტი არის მაღალი სისუფთავის, მაღალი სიმკვრივის და მაღალი სიმტკიცის გრაფიტის მასალა და აქვს შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა, მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობა და დიდი ელექტროგამტარობა. დამზადებულია ბუნებრივი ან ხელოვნური გრაფიტისაგან მაღალი ტემპერატურის თერმული დამუშავებისა და მაღალი წნევის დამუშავების შემდეგ...
დაწვრილებით
თხელი ფირის დეპონირების აღჭურვილობის ანალიზი - PECVD/LPCVD/ALD აღჭურვილობის პრინციპები და გამოყენება
ადმინის მიერ 24-06-12
თხელი ფირის დეპონირება არის ფირის ფენის დაფარვა ნახევარგამტარის ძირითად სუბსტრატის მასალაზე. ეს ფილმი შეიძლება დამზადდეს სხვადასხვა მასალისგან, როგორიცაა საიზოლაციო ნაერთი სილიციუმის დიოქსიდი, ნახევარგამტარული პოლისილიციუმი, ლითონის სპილენძი და ა.
დაწვრილებით
მნიშვნელოვანი მასალები, რომლებიც განსაზღვრავენ მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის ხარისხს - თერმული ველი
ადმინის მიერ 24-06-12
მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის პროცესი მთლიანად თერმულ ველში მიმდინარეობს. კარგი თერმული ველი ხელს უწყობს კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესებას და აქვს უფრო მაღალი კრისტალიზაციის ეფექტურობა. თერმული ველის დიზაინი დიდწილად განსაზღვრავს ტემპერატურის გრადიენტების ცვლილებებს...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური სირთულეები აქვს სილიციუმის კარბიდის ბროლის ზრდის ღუმელს?
ადმინის მიერ 24-06-07
ბროლის ზრდის ღუმელი არის ძირითადი მოწყობილობა სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდისთვის. ეს არის ტრადიციული კრისტალური სილიკონის კლასის კრისტალური ზრდის ღუმელის მსგავსი. ღუმელის სტრუქტურა არ არის ძალიან რთული. იგი ძირითადად შედგება ღუმელის კორპუსისგან, გათბობის სისტემისგან, კოჭის გადაცემის მექანიზმისგან...
დაწვრილებით
რა დეფექტები აქვს სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიურ შრეს
ადმინის მიერ 24-06-05
SiC ეპიტაქსიალური მასალების ზრდის ძირითადი ტექნოლოგია, პირველ რიგში, არის დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგია, განსაკუთრებით დეფექტების კონტროლის ტექნოლოგიისთვის, რომელიც მიდრეკილია მოწყობილობის გაუმართაობისკენ ან საიმედოობის დეგრადაციისკენ. სუბსტრატის დეფექტების მექანიზმის შესწავლა ეპი...
დაწვრილებით
ოქსიდირებული მდგარი მარცვლეული და ეპიტაქსიური ზრდის ტექნოლოგია-Ⅱ
ადმინის მიერ 24-05-30
2. ეპიტაქსიალური თხელი ფირის ზრდა სუბსტრატი უზრუნველყოფს ფიზიკურ საყრდენ ფენას ან გამტარ ფენას Ga2O3 ელექტრო მოწყობილობებისთვის. შემდეგი მნიშვნელოვანი ფენა არის არხის ფენა ან ეპიტაქსიალური ფენა, რომელიც გამოიყენება ძაბვის წინააღმდეგობისა და გადამზიდველის ტრანსპორტირებისთვის. ავარიული ძაბვის გაზრდისა და მინიმიზაციის მიზნით
დაწვრილებით
გალიუმის ოქსიდის ერთკრისტალური და ეპიტაქსიალური ზრდის ტექნოლოგია
ადმინის მიერ 24-05-30
ფართო ზოლის (WBG) ნახევარგამტარებმა, რომლებიც წარმოდგენილია სილიციუმის კარბიდით (SiC) და გალიუმის ნიტრიდით (GaN) ფართო ყურადღება მიიპყრო. ხალხს დიდი მოლოდინი აქვს სილიციუმის კარბიდის გამოყენების პერსპექტივაზე ელექტრო მანქანებსა და ელექტრო ქსელებში, ასევე გალიუმის გამოყენების პერსპექტივებს...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?Ⅱ
ადმინის მიერ 24-05-22
ტექნიკური სირთულეები სტაბილურად მასობრივი წარმოების მაღალი ხარისხის სილიციუმის კარბიდის ვაფლების სტაბილური ეფექტურობით მოიცავს: 1) ვინაიდან კრისტალები უნდა გაიზარდონ მაღალტემპერატურულ დახურულ გარემოში 2000°C-ზე ზემოთ, ტემპერატურის კონტროლის მოთხოვნები უკიდურესად მაღალია; 2) ვინაიდან სილიციუმის კარბიდს აქვს ...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?
ადმინის მიერ 24-05-22
ნახევარგამტარული მასალების პირველი თაობა წარმოდგენილია ტრადიციული სილიციუმით (Si) და გერმანიუმით (Ge), რომლებიც წარმოადგენს ინტეგრირებული მიკროსქემის წარმოების საფუძველს. ისინი ფართოდ გამოიყენება დაბალი ძაბვის, დაბალი სიხშირის და დაბალი სიმძლავრის ტრანზისტორებსა და დეტექტორებში. ნახევარგამტარების 90%-ზე მეტი...
დაწვრილებით