სიახლეები

SiC მოწყობილობების გამოყენება მაღალი ტემპერატურის გარემოში
ადმინის მიერ 22-08-23
საჰაერო კოსმოსურ და საავტომობილო აღჭურვილობაში, ელექტრონიკა ხშირად მუშაობს მაღალ ტემპერატურაზე, როგორიცაა თვითმფრინავის ძრავები, მანქანის ძრავები, კოსმოსური ხომალდები მზის მახლობლად მისიებში და მაღალი ტემპერატურის აღჭურვილობა თანამგზავრებში. გამოიყენეთ ჩვეულებრივი Si ან GaAs მოწყობილობები, რადგან ისინი არ მუშაობენ ძალიან მაღალ ტემპერატურაზე, ამიტომ...
დაწვრილებით
მესამე თაობის ნახევარგამტარული ზედაპირი - SiC (სილიციუმის კარბიდი) მოწყობილობები და მათი გამოყენება
ადმინის მიერ 22-08-23
როგორც ახალი ტიპის ნახევარგამტარული მასალა, SiC გახდა ყველაზე მნიშვნელოვანი ნახევარგამტარული მასალა მოკლე ტალღის სიგრძის ოპტოელექტრონული მოწყობილობების, მაღალი ტემპერატურის მოწყობილობების, რადიაციის წინააღმდეგობის მოწყობილობებისა და მაღალი სიმძლავრის/მაღალი სიმძლავრის ელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის, მისი შესანიშნავი ფიზიკური და ც. .
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის გამოყენება
ადმინის მიერ 22-08-23
სილიციუმის კარბიდი ასევე ცნობილია, როგორც ოქროს ფოლადის ქვიშა ან ცეცხლგამძლე ქვიშა. სილიციუმის კარბიდი მზადდება კვარცის ქვიშისგან, ნავთობის კოქსისგან (ან ქვანახშირის კოქსისგან), ხის ჩიპებისგან (მწვანე სილიციუმის კარბიდის წარმოებას სჭირდება მარილის დამატება) და სხვა ნედლეულისგან წინააღმდეგობის ღუმელში მაღალი ტემპერატურის დნობის გზით. ამჟამად...
დაწვრილებით
წყალბადის ენერგიისა და საწვავის უჯრედების შესავალი
ადმინის მიერ 22-08-23
საწვავის უჯრედები შეიძლება დაიყოს პროტონების გაცვლის მემბრანის საწვავის უჯრედებად (PEMFC) და პირდაპირ მეთანოლის საწვავის უჯრედებად ელექტროლიტების თვისებების და გამოყენებული საწვავის მიხედვით (DMFC), ფოსფორმჟავას საწვავის უჯრედი (PAFC), მდნარი კარბონატის საწვავის უჯრედი (MCFC), მყარი ოქსიდის საწვავი. უჯრედი (SOFC), ტუტე საწვავის უჯრედი (AFC) და ა.შ.
დაწვრილებით
SiC/SiC-ის გამოყენების ველები
ადმინის მიერ 22-08-23
SiC/SiC-ს აქვს შესანიშნავი სითბოს წინააღმდეგობა და ჩაანაცვლებს სუპერშენადნობას აეროძრავის გამოყენებისას. თუმცა, ბიძგი-წონის თანაფარდობის მატებასთან ერთად, ტურბინის შესასვლელი ტემპერატურა კვლავ იზრდება და არსებული სუპერშენადნობის მატერია...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის ბოჭკოს მთავარი უპირატესობა
ადმინის მიერ 22-08-23
სილიციუმის კარბიდის ბოჭკოვანი და ნახშირბადის ბოჭკოვანი ორივე კერამიკული ბოჭკოა მაღალი სიმტკიცით და მაღალი მოდულით. ნახშირბადის ბოჭკოსთან შედარებით, სილიციუმის კარბიდის ბოჭკოვან ბირთვს აქვს შემდეგი უპირატესობები: 1. მაღალი ტემპერატურის ანტიოქსიდანტური მოქმედება მაღალი ტემპერატურის ჰაერში ან აერობულ გარემოში, სილიციუმის კარბიდი...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდი ნახევარგამტარული მასალა
ადმინის მიერ 22-08-01
სილიციუმის კარბიდი (SiC) ნახევარგამტარული მასალა არის ყველაზე მომწიფებული ფართოზოლოვანი უფსკრული ნახევარგამტარებს შორის. SiC ნახევარგამტარ მასალებს აქვთ გამოყენების დიდი პოტენციალი მაღალი ტემპერატურის, მაღალი სიხშირის, მაღალი სიმძლავრის, ფოტოელექტრონული და რადიაციული რეზისტენტულ მოწყობილობებში მათი ფართო ბა...
დაწვრილებით
სილიციუმის კარბიდის მასალა და მისი მახასიათებლები
ადმინის მიერ 22-08-01
ნახევარგამტარული მოწყობილობა არის თანამედროვე სამრეწველო აპარატურის ბირთვი, რომელიც ფართოდ გამოიყენება კომპიუტერებში, სამომხმარებლო ელექტრონიკაში, ქსელურ კომუნიკაციებში, საავტომობილო ელექტრონიკაში და ბირთვის სხვა სფეროებში, ნახევარგამტარული ინდუსტრია ძირითადად შედგება ოთხი ძირითადი კომპონენტისგან: ინტეგრირებული სქემები, ოპ. .
დაწვრილებით
საწვავის უჯრედის ბიპოლარული ფირფიტა
ადმინის მიერ 22-07-29
ბიპოლარული ფირფიტა არის რეაქტორის ძირითადი კომპონენტი, რომელიც დიდ გავლენას ახდენს რეაქტორის მუშაობასა და ღირებულებაზე. ამჟამად ბიპოლარული ფირფიტა მასალის მიხედვით ძირითადად იყოფა გრაფიტის ფირფიტად, კომპოზიციურ ფირფიტად და ლითონის ფირფიტად. ბიპოლარული ფირფიტა არის PEMFC-ის ერთ-ერთი ძირითადი ნაწილი,...
დაწვრილებით