SiC coating grafit MOCVD Wafer operator, Graphite Susceptors kanggoSiC Epitaxy,
Karbon nyedhiyakake susceptors, Suseptor epitaksi grafit, Substrat dhukungan grafit, MOCVD Susceptor, SiC Epitaxy, Wafer Susceptors,
Kauntungan khusus saka susceptor grafit sing dilapisi SiC kalebu kemurnian sing dhuwur banget, lapisan homogen lan umur layanan sing apik. Dheweke uga duwe resistensi kimia sing dhuwur lan sifat stabilitas termal.
Lapisan SiC saka substrat Graphite kanggo aplikasi Semikonduktor ngasilake bagean kanthi kemurnian sing unggul lan tahan kanggo ngoksidasi atmosfer.
CVD SiC utawa CVI SiC ditrapake kanggo Grafit saka bagean desain sing prasaja utawa rumit. Lapisan bisa ditrapake ing macem-macem kekandelan lan kanggo bagean sing gedhe banget.
Fitur:
· Resistance Shock Thermal sing apik banget
· Resistensi Shock Fisik sing Apik banget
· Resistance Kimia banget
· Kemurnian Super Dhuwur
· Kasedhiyan ing Wangun Komplek
· Bisa digunakake ing Atmosfer Oksidasi
Aplikasi:
Sifat-sifat Khas Bahan Grafit Dasar:
Kapadhetan katon: | 1,85 g/cm3 |
Resistivitas listrik: | 11 μΩm |
Kekuatan lentur: | 49 MPa (500kgf/cm2) |
Kekerasan pantai: | 58 |
awu: | <5ppm |
Konduktivitas termal: | 116 W/mK (100 kkal/mhr- ℃) |
Karbon nyedhiyakake susceptorslan komponen grafit kanggo kabeh reaktor epitaksi saiki. Portofolio kita kalebu susceptor barel kanggo unit terapan lan LPE, susceptor pancake kanggo unit LPE, CSD, lan Gemini, lan susceptor wafer tunggal kanggo unit terapan lan ASM. Kanthi nggabungake kemitraan sing kuat karo OEM, keahlian bahan lan keahlian manufaktur sing unggul, SGL nawakake desain optimal kanggo aplikasi sampeyan.