Silicon Carbide Kabminangka senyawa hard sing ngemot silikon lan karbon, lan ditemokake ing alam minangka moissanite mineral sing arang banget. Partikel silikon karbida bisa diikat bebarengan kanthi sintering kanggo mbentuk keramik sing atos banget, sing akeh digunakake ing aplikasi sing mbutuhake daya tahan dhuwur, utamane ing prosesi semikonduktor.
Struktur Fisik SiC
Apa SiC Coating?
Lapisan SiC minangka lapisan silikon karbida sing padhet lan tahan nganggo kanthi karat lan tahan panas lan konduktivitas termal sing apik. Lapisan SiC kemurnian dhuwur iki utamane digunakake ing industri semikonduktor lan elektronik kanggo nglindhungi operator wafer, basa lan unsur pemanas saka lingkungan korosif lan reaktif. Lapisan SiC uga cocok kanggo tungku vakum lan pemanasan sampel ing lingkungan vakum, reaktif lan oksigen sing dhuwur.
Lumahing lapisan SiC kemurnian dhuwur
Apa proses lapisan SiC?
Lapisan tipis silikon karbida disimpen ing permukaan substrat kanthi nggunakakeCVD (Deposisi Uap Kimia). Deposisi biasane ditindakake ing suhu 1200-1300 ° C lan prilaku ekspansi termal saka materi substrat kudu cocog karo lapisan SiC kanggo nyuda stres termal.
CVD SIC Coating FILM STRUKTUR KRISTAL
Sifat fisik lapisan SiC utamané dibayangke ing resistance suhu dhuwur, atose, resistance karat lan konduktivitas termal.
Parameter fisik sing khas biasane kaya ing ngisor iki:
Kekerasan: Lapisan SiC biasane duwe kekerasan Vickers ing kisaran 2000-2500 HV, sing menehi daya tahan dhuwur lan tahan impact ing aplikasi industri.
Kapadhetan: Lapisan SiC biasane duwe kapadhetan 3,1-3,2 g/cm³. Kapadhetan dhuwur nyumbang kanggo kekuatan mekanik lan daya tahan lapisan.
Konduktivitas termal: Lapisan SiC nduweni konduktivitas termal sing dhuwur, biasane ing kisaran 120-200 W/mK (ing 20°C). Iki menehi konduktivitas termal apik ing lingkungan suhu dhuwur lan ndadekake iku utamané cocok kanggo peralatan perawatan panas ing industri semikonduktor.
Titik lebur: silikon karbida nduweni titik lebur kira-kira 2730°C lan nduweni stabilitas termal sing apik banget ing suhu sing ekstrem.
Koefisien Ekspansi Termal: Lapisan SiC nduweni koefisien ekspansi termal linier sing kurang (CTE), biasane ana ing kisaran 4.0-4.5 µm/mK (ing 25-1000 ℃). Iki tegese stabilitas dimensi banget liwat beda suhu gedhe.
tahan korosi: Lapisan SiC tahan banget kanggo karat ing lingkungan asam, alkali lan oksidasi sing kuwat, utamane nalika nggunakake asam kuat (kayata HF utawa HCl), tahan karat ngluwihi bahan logam konvensional.
Lapisan SiC bisa ditrapake kanggo bahan ing ngisor iki:
Grafit isostatik kemurnian dhuwur (CTE rendah)
Tungsten
Molybdenum
Silicon Carbide Kab
Silicon Nitride Kab
Komposit Karbon-Karbon (CFC)
Produk sing dilapisi SiC umume digunakake ing wilayah ing ngisor iki:
produksi chip LED
Produksi polysilicon
Semikonduktorwutah kristal
Silicon lanEpitaksi SiC
Perawatan panas wafer lan etsa
Napa milih VET Energy?
VET Energy minangka produsen, inovator lan pimpinan produk lapisan SiC ing China, produk lapisan SiC utama kalebuwafer carrier karo lapisan SiC, SiC dilapisisuseptor epitaxial, Cincin grafit sing dilapisi SiC, Bagian setengah rembulan kanthi lapisan SiC, SiC dilapisi karbon-karbon komposit, Kapal wafer sing dilapisi SiC, SiC coated heater, etc. VET Energy setya nyediakake industri semikonduktor karo teknologi pokok lan solusi produk, lan ndhukung layanan pangaturan dhewe. Kita ngarep-arep dadi mitra jangka panjang ing China.
Yen sampeyan duwe pitakon utawa butuh rincian tambahan, aja ragu-ragu hubungi kita.
Whatsapp & Wechat: + 86-18069021720
Email: steven@china-vet.com
Wektu kirim: Oct-18-2024