Modern C, N, B lan non-oksida dhuwur-tech bahan mentahan refractory liyane, meksa atmosfer sintered silikon carbide ekstensif, ekonomi, bisa ngandika ampelas utawa wedhi refractory. Karbida silikon murni yaiku kristal transparan tanpa warna. Dadi apa struktur materi lan karakteristik silikon karbida?
Sintered silikon karbida ing tekanan atmosfer
Struktur bahan tekanan atmosfer sintered silikon karbida:
Karbida silikon sintered atmosfer sing digunakake ing industri yaiku kuning cahya, ijo, biru lan ireng miturut jinis lan isi impurities, lan kemurnian beda lan transparan beda. Struktur kristal silikon karbida dipérang dadi plutonium awujud enem tembung utawa inten lan plutonium-sic kubik. Plutonium-sic mbentuk macem-macem deformasi amarga urutan tumpukan atom karbon lan silikon sing beda ing struktur kristal, lan luwih saka 70 jinis deformasi wis ditemokake. beta-SIC ngowahi kanggo alpha-SIC ndhuwur 2100. Proses industri silikon karbida wis olahan karo wedhi kuarsa kualitas dhuwur lan coke petroleum ing tungku resistance. Blok karbida silikon sing ditapis diremuk, ngresiki asam-basa, pamisahan magnetik, screening utawa pilihan banyu kanggo ngasilake macem-macem produk ukuran partikel.
Karakteristik bahan silikon karbida sintered tekanan atmosfer:
Silicon carbide nduweni stabilitas kimia sing apik, konduktivitas termal, koefisien ekspansi termal, resistensi nyandhang, saengga saliyane nggunakake abrasive, ana akeh kegunaan: Contone, bubuk karbida silikon dilapisi ing tembok njero impeller turbin utawa blok silinder kanthi proses khusus, kang bisa nambah resistance nyandhang lan ngluwihi gesang 1 kanggo 2 kaping. Digawe saka panas-tahan, ukuran cilik, bobot entheng, kekuatan dhuwur saka bahan refractory dhuwur-bahan, efficiency energi apik banget. Karbida silikon kelas rendah (kalebu udakara 85% SiC) minangka deoxidizer sing apik kanggo nambah kacepetan nggawe baja lan gampang ngontrol komposisi kimia kanggo nambah kualitas baja. Kajaba iku, tekanan atmosfer sintered silikon karbida uga digunakake digunakake ing Pabrik bagean electrical rod karbon silikon.
Silicon carbide banget hard. Kekerasan morse yaiku 9,5, mung nomer loro tinimbang berlian keras ing donya (10), minangka semikonduktor kanthi konduktivitas termal sing apik, bisa nolak oksidasi ing suhu dhuwur. Silicon carbide duwe paling ora 70 jinis kristal. Plutonium-silicon carbide minangka isomer umum sing dibentuk ing suhu ndhuwur 2000 lan nduweni struktur kristal heksagonal (padha karo wurtzite). Sintered silikon karbida ing tekanan atmosfer
Aplikasi silikon karbida ing industri semikonduktor
Rantai industri semikonduktor silikon karbida utamane kalebu bubuk kemurnian tinggi silikon karbida, substrat kristal tunggal, lembaran epitaxial, komponen daya, kemasan modul lan aplikasi terminal.
1. Substrat kristal tunggal Substrat kristal tunggal minangka bahan pendukung semikonduktor, bahan konduktif lan substrat pertumbuhan epitaxial. Saiki, metode pertumbuhan kristal tunggal SiC kalebu metode transfer uap fisik (metode PVT), metode fase cair (metode LPE), lan metode deposisi uap kimia suhu dhuwur (metode HTCVD). Sintered silikon karbida ing tekanan atmosfer
2. Lembar epitaxial Lembar epitaxial silikon karbida, lembaran karbida silikon, film kristal tunggal (lapisan epitaxial) kanthi arah sing padha karo kristal substrat sing nduweni syarat tartamtu kanggo substrat silikon karbida. Ing aplikasi praktis, piranti semikonduktor celah pita lebar meh kabeh diprodhuksi ing lapisan epitaxial, lan chip silikon dhewe mung digunakake minangka substrat, kalebu substrat lapisan epitaxial GaN.
3. Wêdakakêna karbida silikon kemurnian tinggi Wêdakakêna karbida silikon kemurnian tinggi minangka bahan baku kanggo tuwuhing kristal tunggal silikon karbida kanthi cara PVT, lan kemurnian produk kasebut langsung mengaruhi kualitas pertumbuhan lan karakteristik listrik saka kristal tunggal silikon karbida.
4. Piranti daya minangka daya pita lebar sing digawe saka bahan silikon karbida, sing nduweni karakteristik suhu dhuwur, frekuensi dhuwur lan efisiensi dhuwur. Miturut wangun operasi piranti, piranti sumber daya SiC utamané kalebu dioda daya lan tabung ngalih daya.
5. Terminal Ing aplikasi semikonduktor generasi katelu, semikonduktor silikon karbida nduweni kaluwihan minangka pelengkap semikonduktor gallium nitride. Amarga efisiensi konversi sing dhuwur, karakteristik pemanasan sing kurang, entheng lan kaluwihan liyane saka piranti SiC, panjaluk industri hilir terus saya tambah, lan ana tren kanggo ngganti piranti SiO2.
Wektu kirim: Jun-16-2023