Proses BCD

Apa proses BCD?

Proses BCD minangka teknologi proses terpadu siji-chip sing pisanan dikenalake dening ST ing 1986. Teknologi iki bisa nggawe piranti bipolar, CMOS lan DMOS ing chip sing padha. Penampilane nyuda area chip kasebut.

Bisa diarani proses BCD kanthi nggunakake kaluwihan kemampuan nyopir Bipolar, integrasi dhuwur CMOS lan konsumsi daya sing sithik, lan DMOS voltase dhuwur lan kapasitas aliran saiki sing dhuwur. Ing antarane, DMOS minangka kunci kanggo ningkatake daya lan integrasi. Kanthi pangembangan teknologi sirkuit terpadu, proses BCD wis dadi teknologi manufaktur utama PMIC.

proses BCD cross-sectional diagram, jaringan sumber, matur nuwun

Kaluwihan saka proses BCD
Proses BCD ndadekake piranti Bipolar, piranti CMOS, lan piranti daya DMOS ing chip sing padha ing wektu sing padha, nggabungake transkonduktansi dhuwur lan kemampuan nyopir beban sing kuat saka piranti bipolar lan integrasi dhuwur lan konsumsi daya CMOS sing sithik, supaya bisa nglengkapi saben liyane lan menehi muter lengkap kanggo kaluwihan dhewe; ing wektu sing padha, DMOS bisa ing mode ngoper karo konsumsi daya banget kurang. Singkatnya, konsumsi daya sing sithik, efisiensi energi sing dhuwur lan integrasi sing dhuwur minangka salah sawijining kaluwihan utama BCD. Proses BCD bisa nyuda konsumsi daya kanthi signifikan, nambah kinerja sistem lan luwih linuwih. Fungsi produk elektronik saya tambah saben dina, lan syarat kanggo owah-owahan voltase, proteksi kapasitor lan ekstensi umur baterei saya tambah penting. Karakteristik BCD kanthi kacepetan dhuwur lan hemat energi nyukupi syarat proses kanggo chip manajemen analog / daya sing dhuwur.

Teknologi utama proses BCD
Piranti khas proses BCD kalebu CMOS voltase rendah, tabung MOS voltase dhuwur, LDMOS kanthi macem-macem voltase rusak, dioda NPN / PNP lan Schottky vertikal, lan liya-liyane. Sawetara proses uga nggabungake piranti kayata JFET lan EEPROM, sing ngasilake macem-macem piranti ing proses BCD. Mulane, saliyane kanggo nimbang kompatibilitas piranti voltase dhuwur lan piranti voltase kurang, proses klik kaping pindho lan proses CMOS, lan liya-liyane ing desain, teknologi isolasi sing cocog uga kudu dianggep.

Ing teknologi isolasi BCD, akeh teknologi kayata isolasi simpang, isolasi diri lan isolasi dielektrik sing muncul siji-sijine. Teknologi isolasi Junction yaiku nggawe piranti ing lapisan epitaxial N-jinis substrat P-jinis lan nggunakake karakteristik bias mbalikke saka prapatan PN kanggo entuk isolasi, amarga prapatan PN nduweni resistance dhuwur banget ing bias mbalikke.

Teknologi isolasi mandhiri yaiku isolasi persimpangan PN, sing gumantung marang karakteristik persimpangan PN alami ing antarane wilayah sumber lan saluran piranti lan substrat kanggo entuk isolasi. Nalika tabung MOS diuripake, wilayah sumber, wilayah saluran lan saluran diubengi dening wilayah panipisan, mbentuk isolasi saka landasan. Nalika dipateni, prapatan PN antarane wilayah saluran lan landasan bias mbalikke, lan voltase dhuwur saka wilayah sumber diisolasi dening wilayah panipisan.

Isolasi dielektrik nggunakake media insulasi kayata silikon oksida kanggo entuk isolasi. Adhedhasar isolasi dielektrik lan isolasi persimpangan, isolasi kuasi-dielektrik wis dikembangake kanthi nggabungake kaluwihan loro kasebut. Kanthi milih teknologi isolasi ing ndhuwur, kompatibilitas voltase dhuwur lan voltase sithik bisa digayuh.

Arah pangembangan proses BCD
Pangembangan teknologi proses BCD ora kaya proses CMOS standar, sing tansah ngetutake hukum Moore kanggo berkembang ing arah jembar garis sing luwih cilik lan kacepetan sing luwih cepet. Proses BCD kira-kira dibedakake lan dikembangake ing telung arah: tegangan dhuwur, daya dhuwur, lan kapadhetan dhuwur.

1. Dhuwur-voltase arah BCD

BCD voltase dhuwur bisa nggawe sirkuit kontrol voltase rendah sing linuwih lan sirkuit tingkat DMOS voltase ultra-dhuwur ing chip sing padha bebarengan, lan bisa nyadari produksi piranti voltase dhuwur 500-700V. Nanging, ing umum, BCD isih cocok kanggo produk karo syarat relatif dhuwur kanggo piranti daya, utamané BJT utawa piranti DMOS dhuwur-saiki, lan bisa digunakake kanggo kontrol daya ing cahya elektronik lan aplikasi industri.

Teknologi saiki kanggo nggawe BCD voltase dhuwur yaiku teknologi RESURF sing diusulake dening Appel et al. ing 1979. Piranti digawe nggunakake lapisan epitaxial doped entheng kanggo nggawe distribusi medan listrik lumahing flatter, mangkono nambah karakteristik risak lumahing, supaya risak ana ing awak tinimbang lumahing, mangkono nambah voltase risak piranti. Doping cahya minangka cara liya kanggo nambah voltase risak BCD. Utamane nggunakake saluran DDD doping pindho (Doping Doping pindho) lan LDD saluran doping entheng (Drain Doping entheng). Ing wilayah saluran DMOS ditambahake wilayah drift N-jinis kanggo ngganti kontak asli antarane saluran N + lan substrat P-jinis kanggo kontak antarane saluran N- lan substrat P-jinis, mangkono nambah voltase risak.

2. Dhuwur-daya arah BCD

Range voltase BCD daya dhuwur yaiku 40-90V, lan utamane digunakake ing elektronik otomotif sing mbutuhake kemampuan nyopir saiki, tegangan medium lan sirkuit kontrol sing gampang. Karakteristik sing dikarepake yaiku kemampuan nyopir saiki sing dhuwur, voltase medium, lan sirkuit kontrol asring gampang.

3. Dhuwur-Kapadhetan arah BCD

BCD kapadhetan dhuwur, sawetara voltase 5-50V, lan sawetara elektronik otomotif bakal tekan 70V. Fungsi liyane lan liyane Komplek lan macem-macem bisa Integrasi ing chip padha. BCD kapadhetan dhuwur nggunakake sawetara ide desain modular kanggo entuk diversifikasi produk, utamane digunakake ing aplikasi elektronik otomotif.

Aplikasi utama proses BCD

Proses BCD akeh digunakake ing manajemen daya (kontrol daya lan baterei), drive tampilan, elektronik otomotif, kontrol industri, lan liya-liyane. Chip manajemen daya (PMIC) minangka salah sawijining jinis chip analog sing penting. Kombinasi proses BCD lan teknologi SOI uga dadi fitur utama pangembangan proses BCD.

VET-China bisa nyedhiyakake bagean grafit, felt softrigid, bagean karbida silikon, bagean karbida silikon cvD, lan bagean sing dilapisi sic / Tac sajrone 30 dina.
Yen sampeyan kasengsem ing produk semikonduktor ing ndhuwur, aja ragu-ragu hubungi kita nalika sepisanan.

Telpon: +86-1891 1596 392
WhatsApp: 86-18069021720
Email:yeah@china-vet.com