The Monocrystalline 8 Inch Silicon Wafer saka VET Energy minangka solusi industri kanggo semikonduktor lan fabrikasi piranti elektronik. Nawakake kemurnian unggul lan struktur kristal, wafer iki becik kanggo aplikasi kinerja dhuwur ing loro industri photovoltaic lan semikonduktor. VET Energy mesthekake yen saben wafer diproses kanthi tliti kanggo nyukupi standar sing paling dhuwur, nyedhiyakake keseragaman sing apik lan permukaan sing mulus, sing penting kanggo produksi piranti elektronik canggih.
Monocrystalline 8 Inch Silicon Wafers iki kompatibel karo sawetara bahan, kalebu Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, lan utamané cocog kanggo Epi Wafer wutah. Konduktivitas termal lan sifat listrik sing unggul ndadekake pilihan sing bisa dipercaya kanggo manufaktur kanthi efisiensi dhuwur. Kajaba iku, wafer iki dirancang kanggo bisa digunakake kanthi lancar karo bahan kayata Gallium Oxide Ga2O3 lan AlN Wafer, nawakake macem-macem aplikasi saka elektronik daya nganti piranti RF. Wafer uga pas karo sistem Kaset kanggo lingkungan produksi otomatis kanthi volume dhuwur.
Garis produk VET Energy ora diwatesi ing wafer silikon. Kita uga nyedhiyakake macem-macem bahan substrat semikonduktor, kalebu Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, lan sapiturute, uga bahan semikonduktor celah pita lebar anyar kayata Gallium Oxide Ga2O3 lan AlN Wafer. Produk kasebut bisa nyukupi kabutuhan aplikasi saka macem-macem pelanggan ing elektronika daya, frekuensi radio, sensor lan lapangan liyane.
VET Energy nyedhiyakake pelanggan karo solusi wafer khusus. Kita bisa ngatur wafer karo resistivity beda, isi oksigen, kekandelan, etc. miturut kabutuhan tartamtu pelanggan '. Kajaba iku, kita uga nyedhiyakake dhukungan teknis profesional lan layanan sawise-sales kanggo mbantu para pelanggan ngatasi macem-macem masalah sing ditemoni sajrone proses produksi.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Gandhewo (GF3YFCD) -Nilai Absolute | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling |
LUWIH RAPI
*n-Pm=n-jenis Pm-Grade,n-Ps=n-jenis Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item | 8-inci | 6-Inci | 4-Inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Lumahing Rampung | Poles Optik sisih pindho, Si- Face CMP | ||||
Kekasaran lumahing | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Kripik pinggir | Ora ana sing diidini (dawa lan jembar ≥0.5mm) | ||||
Indentasi | Ora ana sing diidini | ||||
Goresan (Si-Face) | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | Qty.≤5, Kumulatif | ||
Retak | Ora ana sing diidini | ||||
Pangecualian Edge | 3 mm |