Sic Ceramic Target Silicon Carbide Sputtering Target untuk Pelapisan, Batang Sic, Batang Silikon untuk Teknik Mesin

Katrangan singkat:


Detail Produk

Tag produk

Adhering kanggo teori "kualitas, layanan, kinerja lan wutah", kita wis nampa kapercayan lan pujian saka shopper domestik lan donya kanggo IOS Certificate China 99,5%Sasaran Keramik SicTarget Sputtering Silicon Carbide kanggo Coating, Tujuan utama kita yaiku nyedhiyakake pelanggan ing saindenging jagad kanthi kualitas sing apik, rega sing kompetitif, pangiriman sing puas lan layanan sing apik.
Adhering kanggo teori "kualitas, layanan, kinerja lan wutah", kita wis nampa kapercayan lan pujian saka shopper domestik lan donya kanggoChina Silicon Carbide Sputtering Target, Sasaran Keramik Sic, Saiki kita duwe sistem kontrol kualitas sing ketat lan lengkap, sing njamin saben produk bisa nyukupi syarat kualitas pelanggan.Kajaba iku, kabeh barang kita wis dipriksa kanthi ketat sadurunge dikirim.

Deskripsi Produk

Karbon / komposit karbon(sateruse diarani "C / C utawa CFC") minangka jinis bahan komposit sing adhedhasar karbon lan dikuatake dening serat karbon lan produke (serat karbon preform).Wis loro inersia karbon lan kekuatan dhuwur saka serat karbon.Nduwe sifat mekanik sing apik, tahan panas, tahan karat, gesekan damping lan karakteristik konduktivitas termal lan listrik

CVD-SiClapisan nduweni karakteristik struktur seragam, materi kompak, resistance suhu dhuwur, resistance oksidasi, kemurnian dhuwur, resistance asam & alkali lan reagen organik, karo sifat fisik lan kimia stabil.

Dibandhingake karo bahan grafit kemurnian dhuwur, grafit wiwit ngoksidasi ing 400C, sing bakal nyebabake mundhut bubuk amarga oksidasi, nyebabake polusi lingkungan menyang piranti periferal lan ruang vakum, lan nambah impurities lingkungan kemurnian dhuwur.

Nanging, lapisan SiC bisa njaga stabilitas fisik lan kimia ing 1600 derajat, Kang digunakake digunakake ing industri modern, utamané ing industri semikonduktor.

Perusahaan kita nyedhiyakake layanan proses lapisan SiC kanthi metode CVD ing permukaan grafit, keramik lan bahan liyane, supaya gas khusus sing ngemot karbon lan silikon bereaksi ing suhu dhuwur kanggo entuk molekul SiC kemurnian dhuwur, molekul sing disimpen ing permukaan bahan sing dilapisi, mbentuk lapisan protèktif SIC.SIC kawangun wis kuwat kaiket ing basa grafit, menehi dhasar grafit sifat khusus, mangkono nggawe lumahing grafit kompak, Porosity-free, resistance suhu dhuwur, resistance karat lan resistance oksidasi.

 pangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafit

Fitur utama:

1. Resistance oksidasi suhu dhuwur:

resistensi oksidasi isih apik banget nalika suhu nganti 1600 C.

2. Kemurnian dhuwur: digawe dening deposition uap kimia ing kondisi chlorination suhu dhuwur.

3. Erosi resistance: atose dhuwur, lumahing kompak, partikel nggoleki.

4. Resistance korosi: reagen asam, alkali, uyah lan organik.

 

Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC:

SiC-CVD

Kapadhetan

(g/cc)

3.21

Kekuatan lentur

(Mpa)

470

Ekspansi termal

(10-6/K)

4

Konduktivitas termal

(W/mK)

300

Gambar rinci

pangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafitpangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafitpangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafitpangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafitpangolahan lapisan SiC ing susceptors MOCVD lumahing grafit

Informasi Perusahaan

111

Peralatan Pabrik

222

Gudang

333

Sertifikasi

Sertifikasi22

 


  • Sadurunge:
  • Sabanjure:

  • Obrolan Online WhatsApp!