SiC酸化 – CVDプロセスによりグラファイト表面に耐性コーティングを形成

SiCコーティングは、化学気相成長法（CVD）、前駆体変換、プラズマ溶射などにより作製できます。化学気相成長法により作製された皮膜は均一かつ緻密で、意匠性に優れています。メチルトリクロシランを使用。 (CH2SiCl3、MTS) をシリコン源として使用する場合、CVD 法によって調製される SiC コーティングは、このコーティングを適用するための比較的成熟した方法です。
SiCコーティングとグラファイトは化学的適合性に優れており、両者の熱膨張係数の差が小さいため、SiCコーティングを使用するとグラファイト材料の耐摩耗性と耐酸化性を効果的に向上させることができます。中でも化学量論比、反応温度、希釈ガス、不純物ガス等の条件は反応に大きな影響を与えます。