Hægt er að útbúa SiC húðun með efnagufuútfellingu (CVD), umbreytingu forvera, plasmaúðun o.s.frv. Húðin sem búin er til með CHEMICAL gufuútfellingu er einsleit og fyrirferðarlítil og hefur góða hönnun. Notkun metýltríklósílans. (CHzSiCl3, MTS) sem kísilgjafi, SiC húðun sem er unnin með CVD aðferð er tiltölulega þroskuð aðferð til að beita þessari húðun.
SiC húðun og grafít hafa góða efnafræðilega eindrægni, munurinn á hitastækkunarstuðlinum á milli þeirra er lítill, notkun SiC húðunar getur í raun bætt slitþol og oxunarþol grafítefnis. Meðal þeirra hafa stoichiometric hlutfall, hvarfhitastig, þynningargas, óhreinindagas og aðrar aðstæður mikil áhrif á hvarfið.
Birtingartími: 14. september 2022