1. Þriðja kynslóðar hálfleiðarar
Fyrsta kynslóð hálfleiðaratækni var þróuð byggð á hálfleiðaraefnum eins og Si og Ge. Það er efnislegur grunnur fyrir þróun smára og samþættrar hringrásartækni. Fyrstu kynslóðar hálfleiðaraefnin lögðu grunninn að rafeindaiðnaðinum á 20. öld og eru grunnefni samþættrar rafrásartækni.
Önnur kynslóð hálfleiðaraefna innihalda aðallega gallíumarseníð, indíumfosfíð, gallíumfosfíð, indíumarseníð, álarseníð og þrískipt efnasambönd þeirra. Önnur kynslóð hálfleiðaraefna er grunnurinn að ljósatækniupplýsingaiðnaðinum. Á þessum grundvelli hafa tengdar atvinnugreinar eins og lýsing, skjár, leysir og ljósvökva verið þróaðar. Þau eru mikið notuð í nútíma upplýsingatækni og sjónrænum skjáiðnaði.
Fulltrúarefni þriðju kynslóðar hálfleiðaraefna eru gallíumnítríð og kísilkarbíð. Vegna breiðs bandbils, mikils rafeindamettunarrekshraða, mikillar varmaleiðni og mikillar sundurliðunarsviðsstyrks, eru þau tilvalin efni til að útbúa rafeindabúnað með miklum kraftþéttleika, hátíðni og litlum tapi. Meðal þeirra hafa kísilkarbíð raforkutæki kosti mikillar orkuþéttleika, lítillar orkunotkunar og smæðar og hafa víðtæka notkunarmöguleika í nýjum orkutækjum, ljósvökva, járnbrautarflutningum, stórgögnum og öðrum sviðum. Gallíumnítríð RF tæki hafa kosti hátíðni, mikils afl, breiðs bandbreidd, lítillar orkunotkunar og smæðar, og hafa víðtæka möguleika á notkun í 5G samskiptum, Internet of Things, herradar og öðrum sviðum. Að auki hafa raforkutæki sem byggjast á gallíumnítríði verið mikið notuð á lágspennusviðinu. Að auki, á undanförnum árum, er gert ráð fyrir að ný gallíumoxíðefni myndi tæknilega fyllingu við núverandi SiC og GaN tækni og eiga möguleika á notkun á lágtíðni og háspennusviðum.
Í samanburði við önnur kynslóðar hálfleiðaraefni hafa þriðju kynslóðar hálfleiðaraefni breiðari bandbilsbreidd (bandbilsbreidd Si, dæmigert efni í fyrstu kynslóðar hálfleiðaraefninu, er um 1,1eV, bandbilsbreidd GaAs, dæmigerð efni annarrar kynslóðar hálfleiðara efnisins, er um 1,42eV, og bandbilsbreidd GaN, dæmigerðs efnis þriðju kynslóðar hálfleiðaraefnisins, er yfir 2,3eV), sterkari geislunarviðnám, sterkari viðnám gegn sundrun rafsviðs og hærri hitaþol. Þriðja kynslóðar hálfleiðaraefni með breiðari bandbilsbreidd eru sérstaklega hentug til framleiðslu á geislunarþolnum, hátíðni, aflmiklum og mikilli samþættingarþéttni rafeindabúnaði. Notkun þeirra í örbylgjuútvarpstíðnitækjum, LED, leysir, rafmagnstækjum og öðrum sviðum hefur vakið mikla athygli og þau hafa sýnt mikla þróunarmöguleika í farsímasamskiptum, snjallnetum, járnbrautarflutningum, nýjum orkutækjum, rafeindatækni og útfjólubláum og bláum litum. -grænt ljós tæki [1].
Birtingartími: 25. júní 2024