Seringkali berorientasi pada pelanggan, dan merupakan target utama kami untuk tidak hanya menjadi penyedia yang paling bereputasi, dapat dipercaya, dan jujur, tetapi juga mitra bagi pelanggan kami untuk Deposisi Uap Kimia yang Ditingkatkan Plasma China 1200c Harga Super TerendahPecvdVacuum Funace, Untuk mempelajari lebih lanjut tentang apa yang dapat kami lakukan untuk Anda, hubungi kami kapan saja. Kami berharap dapat membangun hubungan bisnis yang baik dan jangka panjang dengan Anda.
Seringkali berorientasi pada pelanggan, dan merupakan target utama kami untuk tidak hanya menjadi penyedia yang paling bereputasi, dapat dipercaya, dan jujur, namun juga mitra bagi pelanggan kami untukDeposisi Uap Kimia yang Ditingkatkan Plasma Cina, Pecvd, Peralatan canggih kami, manajemen kualitas yang sangat baik, kemampuan penelitian dan pengembangan membuat harga kami turun. Harga yang kami tawarkan mungkin bukan yang terendah, namun kami jamin benar-benar kompetitif! Selamat datang untuk menghubungi kami segera untuk hubungan bisnis masa depan dan kesuksesan bersama!
Komposit karbon/karbon(selanjutnya disebut "C/C atau CFC”) adalah sejenis material komposit yang berbahan dasar karbon dan diperkuat dengan serat karbon dan produknya (carbon fiber preform). Ia memiliki kelembaman karbon dan kekuatan serat karbon yang tinggi. Ia memiliki sifat mekanik yang baik, tahan panas, tahan korosi, redaman gesekan dan karakteristik konduktivitas termal dan listrik
CVD-SiCpelapisan memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun pelapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300
|
