“Ketulusan, Inovasi, Ketelitian, dan Efisiensi” adalah konsepsi yang gigih dari perusahaan kami untuk pengembangan jangka panjang bersama dengan pelanggan untuk saling timbal balik dan saling menguntungkan untuk Inspeksi Kualitas untuk Polikristalin Industri ChinaBubuk Berlian3-6um untuk Sapphire Wafer, Kami yakin bahwa kami dapat menawarkan produk dan solusi berkualitas tinggi dengan label harga yang masuk akal, dukungan purna jual yang unggul kepada pembeli. Dan kami akan membangun jangka panjang yang dinamis.
“Ketulusan, Inovasi, Ketelitian, dan Efisiensi” adalah konsepsi yang gigih dari perusahaan kami untuk jangka panjang untuk dikembangkan bersama dengan pelanggan untuk saling timbal balik dan saling menguntungkan bagiBerlian Sintetis Cina, Bubuk Berlian, Kami selalu menekankan prinsip manajemen "Kualitas adalah Yang Utama, Teknologi adalah Dasar, Kejujuran dan Inovasi". Kami dapat mengembangkan produk baru secara terus menerus ke tingkat yang lebih tinggi untuk memenuhi berbagai kebutuhan pelanggan.
Deskripsi Produk
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.
Fitur utama:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan deposisi uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.
4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC
Properti SiC-CVD | ||
Struktur Kristal | Fase FCC β | |
Kepadatan | gram/cm³ | 3.21 |
Kekerasan | Kekerasan Vickers | 2500 |
Ukuran Butir | m | 2~10 |
Kemurnian Kimia | % | 99.99995 |
Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Suhu Sublimasi | ℃ | 2700 |
Kekuatan Felekural | MPa (RT 4 poin) | 415 |
Modulus Muda | IPK (tikungan 4pt, 1300℃) | 430 |
Ekspansi Termal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |