Lapisan silikon karbida,umumnya dikenal sebagai pelapisan SiC, mengacu pada proses penerapan lapisan silikon karbida ke permukaan melalui metode seperti Deposisi Uap Kimia (CVD), Deposisi Uap Fisik (PVD), atau penyemprotan termal. Lapisan keramik silikon karbida ini meningkatkan sifat permukaan berbagai substrat dengan memberikan ketahanan aus yang luar biasa, stabilitas termal, dan perlindungan korosi. SiC dikenal karena sifat fisik dan kimianya yang luar biasa, termasuk titik leleh yang tinggi (sekitar 2700℃), kekerasan ekstrim (skala Mohs 9), ketahanan terhadap korosi dan oksidasi yang sangat baik, dan kinerja ablasi yang luar biasa.
Manfaat Utama Lapisan Silikon Karbida dalam Aplikasi Industri
Karena fitur-fitur ini, lapisan silikon karbida banyak digunakan di berbagai bidang seperti dirgantara, peralatan senjata, dan pemrosesan semikonduktor. Di lingkungan ekstrem, khususnya dalam kisaran 1800-2000℃, lapisan SiC menunjukkan stabilitas termal dan ketahanan ablatif yang luar biasa, sehingga ideal untuk aplikasi suhu tinggi. Namun, silikon karbida saja tidak memiliki integritas struktural yang diperlukan untuk banyak aplikasi, sehingga metode pelapisan digunakan untuk memanfaatkan sifat uniknya tanpa mengurangi kekuatan komponen. Dalam manufaktur semikonduktor, elemen berlapis silikon karbida memberikan perlindungan yang andal dan stabilitas kinerja dalam peralatan yang digunakan dalam proses MOCVD.
Metode Umum untuk Persiapan Pelapisan Silikon Karbida
Ⅰ● Lapisan Silikon Karbida Deposisi Uap Kimia (CVD).
Dalam metode ini, pelapisan SiC dibentuk dengan menempatkan substrat dalam ruang reaksi, dimana metiltriklorosilan (MTS) bertindak sebagai prekursor. Dalam kondisi terkendali—biasanya 950-1300°C dan tekanan negatif—MTS mengalami dekomposisi, dan silikon karbida diendapkan ke permukaan. Proses pelapisan CVD SiC ini memastikan lapisan yang padat dan seragam dengan daya rekat yang sangat baik, ideal untuk aplikasi presisi tinggi di sektor semikonduktor dan ruang angkasa.
Ⅱ● Metode Konversi Prekursor (Imregnasi Polimer dan Pirolisis – PIP)
Pendekatan pelapisan semprot silikon karbida efektif lainnya adalah metode konversi prekursor, yang melibatkan perendaman sampel yang telah diolah sebelumnya dalam larutan prekursor keramik. Setelah menyedot tangki impregnasi dan memberi tekanan pada lapisan, sampel dipanaskan, menyebabkan pembentukan lapisan silikon karbida saat pendinginan. Metode ini disukai untuk komponen yang memerlukan ketebalan lapisan seragam dan peningkatan ketahanan aus.
Sifat Fisik Lapisan Silikon Karbida
Lapisan silikon karbida menunjukkan sifat yang menjadikannya ideal untuk aplikasi industri yang menuntut. Properti ini meliputi:
Konduktivitas Termal: 120-270 W/m·K
Koefisien Ekspansi Termal: 4,3 × 10^(-6)/K (pada 20~800℃)
Resistivitas Listrik: 10^5– 10^6Ω·cm
Kekerasan: skala Mohs 9
Aplikasi Lapisan Silikon Karbida
Dalam manufaktur semikonduktor, lapisan silikon karbida untuk MOCVD dan proses suhu tinggi lainnya melindungi peralatan penting, seperti reaktor dan susceptor, dengan menawarkan ketahanan dan stabilitas suhu tinggi. Di bidang kedirgantaraan dan pertahanan, pelapis keramik silikon karbida diterapkan pada komponen yang harus tahan terhadap benturan kecepatan tinggi dan lingkungan korosif. Selain itu, cat atau pelapis silikon karbida juga dapat digunakan pada perangkat medis yang memerlukan ketahanan dalam prosedur sterilisasi.
Mengapa Memilih Lapisan Silikon Karbida？
Dengan rekam jejak yang terbukti dalam memperpanjang masa pakai komponen, pelapis silikon karbida memberikan daya tahan dan stabilitas suhu yang tak tertandingi, menjadikannya hemat biaya untuk penggunaan jangka panjang. Dengan memilih permukaan berlapis silikon karbida, industri mendapatkan keuntungan dari penurunan biaya pemeliharaan, peningkatan keandalan peralatan, dan peningkatan efisiensi operasional.
Mengapa Memilih VET ENERGI?
VET ENERGY adalah produsen profesional dan pabrik produk pelapis silikon karbida di Cina. Produk pelapisan SiC utama meliputi pemanas pelapis keramik silikon karbida,Susceptor MOCVD Lapisan Silikon Karbida CVD, Pembawa Grafit MOCVD dengan Lapisan SiC CVD, Pembawa Basis Grafit Dilapisi SiC, Substrat Grafit Berlapis Silikon Karbida untuk Semikonduktor,Lapisan SiC/Substrat Grafit Dilapisi/Baki untuk Semikonduktor, Cetakan Perahu CFC Komposit Karbon-karbon Dilapisi CVD SiC. VET ENERGY berkomitmen untuk menyediakan teknologi canggih dan solusi produk untuk industri semikonduktor. Kami sangat berharap dapat menjadi mitra jangka panjang Anda di Tiongkok.
Waktu posting: 02-Sep-2023