Pembentukan silikon dioksida pada permukaan silikon disebut oksidasi, dan penciptaan silikon dioksida yang stabil dan melekat kuat menyebabkan lahirnya teknologi planar sirkuit terpadu silikon. Meskipun ada banyak cara untuk menumbuhkan silikon dioksida langsung pada permukaan silikon, hal ini biasanya dilakukan dengan oksidasi termal, yaitu dengan memaparkan silikon pada lingkungan pengoksidasi bersuhu tinggi (oksigen, air). Metode oksidasi termal dapat mengontrol ketebalan film dan karakteristik antarmuka silikon/silikon dioksida selama pembuatan film silikon dioksida. Teknik lain untuk menumbuhkan silikon dioksida adalah anodisasi plasma dan anodisasi basah, namun kedua teknik ini belum banyak digunakan dalam proses VLSI.
Silikon menunjukkan kecenderungan untuk membentuk silikon dioksida yang stabil. Jika silikon yang baru dibelah terkena lingkungan pengoksidasi (seperti oksigen, air), silikon akan membentuk lapisan oksida yang sangat tipis (<20Å) bahkan pada suhu kamar. Ketika silikon terkena lingkungan pengoksidasi pada suhu tinggi, lapisan oksida yang lebih tebal akan dihasilkan dengan kecepatan lebih cepat. Mekanisme dasar pembentukan silikon dioksida dari silikon telah dipahami dengan baik. Deal dan Grove mengembangkan model matematika yang secara akurat menggambarkan dinamika pertumbuhan lapisan oksida yang lebih tebal dari 300Å. Mereka mengusulkan agar oksidasi dilakukan dengan cara berikut, yaitu oksidan (molekul air dan molekul oksigen) berdifusi melalui lapisan oksida yang ada ke antarmuka Si/SiO2, di mana oksidan bereaksi dengan silikon membentuk silikon dioksida. Reaksi utama pembentukan silikon dioksida dijelaskan sebagai berikut:
Reaksi oksidasi terjadi pada antarmuka Si/SiO2, sehingga ketika lapisan oksida tumbuh, silikon terus dikonsumsi dan antarmuka secara bertahap menyerang silikon. Berdasarkan kepadatan dan berat molekul silikon dan silikon dioksida yang sesuai, diketahui bahwa silikon yang dikonsumsi untuk ketebalan lapisan oksida akhir adalah 44%. Dengan cara ini, jika lapisan oksida bertambah 10.000Å, 4400Å silikon akan dikonsumsi. Hubungan ini penting untuk menghitung tinggi anak tangga yang terbentuk pada anak tanggawafer silikon. Langkah-langkah tersebut merupakan hasil dari laju oksidasi yang berbeda di tempat berbeda pada permukaan wafer silikon.
Kami juga menyediakan produk grafit dan silikon karbida dengan kemurnian tinggi, yang banyak digunakan dalam pemrosesan wafer seperti oksidasi, difusi, dan anil.
Selamat datang setiap pelanggan dari seluruh dunia untuk mengunjungi kami untuk diskusi lebih lanjut!
https://www.vet-china.com/
Waktu posting: 13 November 2024