Pelapisan SiC dapat dibuat dengan deposisi uap kimia (CVD), transformasi prekursor, penyemprotan plasma, dll. Lapisan yang dibuat dengan deposisi uap KIMIA seragam dan kompak, serta memiliki kemampuan desain yang baik. Menggunakan metil triklosilan. (CHZSiCl3, MTS) sebagai sumber silikon, pelapisan SiC yang dibuat dengan metode CVD adalah metode yang relatif matang untuk penerapan pelapisan ini.
Lapisan SiC dan grafit memiliki kompatibilitas kimia yang baik, perbedaan koefisien muai panas di antara keduanya kecil, menggunakan lapisan SiC dapat secara efektif meningkatkan ketahanan aus dan ketahanan oksidasi bahan grafit. Diantaranya, rasio stoikiometri, suhu reaksi, gas pengenceran, gas pengotor dan kondisi lainnya mempunyai pengaruh yang besar terhadap reaksi.
Waktu posting: 14 Sep-2022