Berita

Apa cacat lapisan epitaksi silikon karbida
oleh admin pada 24-06-05
Teknologi inti untuk pertumbuhan material epitaksi SiC adalah yang pertama adalah teknologi pengendalian cacat, terutama untuk teknologi pengendalian cacat yang rentan terhadap kegagalan perangkat atau penurunan keandalan. Studi tentang mekanisme cacat substrat yang meluas ke epi...
Baca selengkapnya
Teknologi pertumbuhan butiran dan epitaksi teroksidasi-Ⅱ
oleh admin pada 24-05-30
2. Pertumbuhan film tipis epitaksi Substrat menyediakan lapisan pendukung fisik atau lapisan konduktif untuk perangkat daya Ga2O3. Lapisan penting berikutnya adalah lapisan saluran atau lapisan epitaksial yang digunakan untuk ketahanan tegangan dan transportasi pembawa. Untuk meningkatkan tegangan tembus dan meminimalkan kon...
Baca selengkapnya
Teknologi pertumbuhan kristal tunggal dan epitaksial Gallium oksida
oleh admin pada 24-05-30
Semikonduktor celah pita lebar (WBG) yang diwakili oleh silikon karbida (SiC) dan galium nitrida (GaN) telah mendapat perhatian luas. Masyarakat memiliki ekspektasi yang tinggi terhadap prospek penerapan silikon karbida pada kendaraan listrik dan jaringan listrik, serta prospek penerapan galium...
Baca selengkapnya
Apa hambatan teknis terhadap silikon karbida?Ⅱ
oleh admin pada 24-05-22
Kesulitan teknis dalam memproduksi wafer silikon karbida berkualitas tinggi secara massal dan stabil dengan kinerja yang stabil meliputi: 1) Karena kristal perlu tumbuh dalam lingkungan tertutup bersuhu tinggi di atas 2000°C, persyaratan kendali suhu sangat tinggi; 2) Karena silikon karbida memiliki ...
Baca selengkapnya
Apa hambatan teknis terhadap silikon karbida?
oleh admin pada 24-05-22
Bahan semikonduktor generasi pertama diwakili oleh silikon tradisional (Si) dan germanium (Ge), yang merupakan dasar pembuatan sirkuit terpadu. Mereka banyak digunakan pada transistor dan detektor tegangan rendah, frekuensi rendah, dan daya rendah. Lebih dari 90% produk semikonduktor...
Baca selengkapnya
Bagaimana bubuk mikro SiC dibuat?
oleh admin pada 24-05-13
Kristal tunggal SiC merupakan bahan semikonduktor senyawa Golongan IV-IV yang tersusun dari dua unsur, Si dan C, dengan perbandingan stoikiometri 1:1. Kekerasannya adalah yang kedua setelah berlian. Metode reduksi karbon silikon oksida untuk membuat SiC terutama didasarkan pada rumus reaksi kimia berikut...
Baca selengkapnya
Bagaimana lapisan epitaksi membantu perangkat semikonduktor?
oleh admin pada 24-05-13
Asal usul nama wafer epitaksi Pertama, mari kita mempopulerkan sebuah konsep kecil: persiapan wafer mencakup dua kaitan utama: persiapan substrat dan proses epitaksi. Substratnya adalah wafer yang terbuat dari bahan kristal tunggal semikonduktor. Substrat dapat langsung masuk ke pabrik wafer...
Baca selengkapnya
Pengantar teknologi deposisi film tipis deposisi uap kimia (CVD).
oleh admin pada 24-05-06
Deposisi Uap Kimia (CVD) adalah teknologi pengendapan film tipis yang penting, sering digunakan untuk menyiapkan berbagai film fungsional dan bahan lapisan tipis, dan banyak digunakan dalam manufaktur semikonduktor dan bidang lainnya. 1. Prinsip Kerja CVD Dalam proses CVD, prekursor gas (satu atau...
Baca selengkapnya
Rahasia “emas hitam” di balik industri semikonduktor fotovoltaik: keinginan dan ketergantungan pada grafit isostatik
oleh admin pada 24-05-06
Grafit isostatik adalah bahan yang sangat penting dalam fotovoltaik dan semikonduktor. Dengan pesatnya pertumbuhan perusahaan grafit isostatik dalam negeri, monopoli perusahaan asing di Tiongkok telah terpatahkan. Dengan penelitian dan pengembangan independen yang berkelanjutan serta terobosan teknologi, ...
Baca selengkapnya