Dengan produksi massal substrat SiC konduktif secara bertahap, persyaratan yang lebih tinggi diajukan untuk stabilitas dan pengulangan proses. Secara khusus, pengendalian cacat, penyesuaian kecil atau penyimpangan medan panas dalam tungku, akan menyebabkan perubahan kristal atau peningkatan cacat. Di masa selanjutnya, kita harus menghadapi tantangan “tumbuh cepat, panjang dan tebal, dan semakin besar”, selain peningkatan teori dan teknik, kita juga membutuhkan material medan termal yang lebih maju sebagai pendukung. Gunakan material canggih, tumbuhkan kristal canggih.
Penggunaan bahan wadah yang tidak tepat, seperti grafit, grafit berpori, bubuk tantalum karbida, dll. di medan panas akan menyebabkan cacat seperti peningkatan inklusi karbon. Selain itu, dalam beberapa aplikasi, permeabilitas grafit berpori tidak cukup, dan diperlukan lubang tambahan untuk meningkatkan permeabilitas. Grafit berpori dengan permeabilitas tinggi menghadapi tantangan pemrosesan, penghilangan bubuk, pengetsaan, dan sebagainya.
VET memperkenalkan generasi baru bahan medan termal penumbuh kristal SiC, tantalum karbida berpori. Debut dunia.
Kekuatan dan kekerasan tantalum karbida sangat tinggi, dan menjadikannya berpori merupakan sebuah tantangan. Membuat tantalum karbida berpori dengan porositas besar dan kemurnian tinggi merupakan tantangan besar. Teknologi Hengpu telah meluncurkan terobosan tantalum karbida berpori dengan porositas besar, dengan porositas maksimum 75%, memimpin dunia.
Filtrasi komponen fase gas, penyesuaian gradien suhu lokal, arah aliran material, pengendalian kebocoran, dll., dapat digunakan. Ini dapat digunakan dengan lapisan tantalum karbida padat (kompak) atau tantalum karbida lainnya dari Teknologi Hengpu untuk membentuk komponen lokal dengan konduktansi aliran berbeda.
Beberapa komponen dapat digunakan kembali.
Waktu posting: 14 Juli-2023