Pabrik langsung China Green Sic Silicon Carbide Powder JIS Standard

Deskripsi Singkat:


Detil Produk

Label Produk

Barang-barang kami diakui secara luas dan dapat diandalkan oleh pengguna dan dapat memenuhi permintaan finansial dan sosial yang terus berubah dari Pabrik secara langsung China GreenSikSilicon Carbide Powder JIS Standard, Oleh karena itu, kami dapat memenuhi berbagai pertanyaan dari klien yang berbeda. Pastikan untuk mengunduh halaman web kami untuk memeriksa lebih banyak informasi dan fakta dari produk kami.
Barang-barang kami diakui secara luas dan dapat diandalkan oleh pengguna serta dapat memenuhi permintaan finansial dan sosial yang terus berubahSilikon Karbida Cina, Sik, Perusahaan kami selalu berkomitmen untuk memenuhi permintaan kualitas, titik harga, dan target penjualan Anda. Sangat menyambut Anda membuka batas-batas komunikasi. Dengan senang hati kami melayani Anda jika Anda memerlukan pemasok tepercaya dan informasi berharga.

Deskripsi Produk

Komposit karbon/karbon(selanjutnya disebut "C/C atau CFC”) adalah sejenis material komposit yang berbahan dasar karbon dan diperkuat dengan serat karbon dan produknya (carbon fiber preform). Ia memiliki kelembaman karbon dan kekuatan serat karbon yang tinggi. Ia memiliki sifat mekanik yang baik, tahan panas, tahan korosi, redaman gesekan dan karakteristik konduktivitas termal dan listrik

CVD-SiCpelapisan memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.

Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.

Namun pelapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.

 Pemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafit

Fitur utama:

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:

ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1600 C.

2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.

3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.

4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

 

Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:

SiC-CVD

Kepadatan

(g/cc)

3.21

Kekuatan lentur

(Mpa)

470

Ekspansi termal

(10-6/K)

4

Konduktivitas termal

(W/mK)

300

Gambar Detil

Pemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafitPemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafitPemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafitPemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafitPemrosesan pelapisan SiC pada suseptor MOCVD permukaan grafit

Informasi Perusahaan

111

Peralatan Pabrik

222

Gudang

333

Sertifikasi

Sertifikasi22

 


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!