Wafer SOI 12 Inci

Deskripsi Singkat:

Rasakan inovasi yang belum pernah ada sebelumnya dengan SOI Wafer 12 Inci yang canggih, sebuah keajaiban teknologi yang dengan bangga dipersembahkan oleh VET Energy. Dibuat dengan presisi dan keahlian, wafer Silicon-On-Insulator ini mengubah standar industri, menawarkan kualitas dan kinerja yang tak tertandingi.


Detail Produk

Label Produk

Wafer SOI 12 inci VET Energy adalah bahan substrat semikonduktor berkinerja tinggi, yang sangat disukai karena sifat listriknya yang sangat baik dan strukturnya yang unik. VET Energy menggunakan proses pembuatan wafer SOI yang canggih untuk memastikan bahwa wafer memiliki arus bocor yang sangat rendah, kecepatan tinggi, dan ketahanan terhadap radiasi, memberikan landasan yang kokoh untuk sirkuit terpadu berkinerja tinggi Anda.

Lini produk VET Energy tidak terbatas pada wafer SOI. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, termasuk Si Wafer, Substrat SiC, Substrat SiN, Epi Wafer, dll., serta bahan semikonduktor celah pita lebar baru seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer. Produk-produk ini dapat memenuhi kebutuhan aplikasi pelanggan yang berbeda di bidang elektronika daya, RF, sensor, dan bidang lainnya.

Berfokus pada keunggulan, wafer SOI kami juga menggunakan bahan canggih seperti galium oksida Ga2O3, kaset, dan wafer AlN untuk memastikan keandalan dan efisiensi di setiap tingkat operasional. Percayakan VET Energy untuk memberikan solusi mutakhir yang membuka jalan bagi kemajuan teknologi.

Keluarkan potensi proyek Anda dengan kinerja superior wafer SOI 12 inci VET Energy. Tingkatkan kemampuan inovasi Anda dengan wafer yang mewujudkan kualitas, presisi, dan inovasi, yang meletakkan dasar bagi kesuksesan di bidang teknologi semikonduktor yang dinamis. Pilih VET Energy untuk solusi wafer SOI premium yang melebihi ekspektasi.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TV(GBIR)

≤6um

≤6um

Busur (GF3YFCD) -Nilai Absolut

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Tepi Wafer

miring

PERMUKAAN SELESAI

*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Permukaan Selesai

Poles Optik sisi ganda, CMP Si-Wajah

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Wajah Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Wajah Ra≤0.2nm
C-Wajah Ra≤0.5nm

Keripik Tepi

Tidak Ada yang Diizinkan (panjang dan lebar≥0,5 mm)

Indentasi

Tidak Ada yang Diizinkan

Goresan (Si-Wajah)

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Jumlah.≤5, Kumulatif
Panjang≤0,5×diameter wafer

Retak

Tidak Ada yang Diizinkan

Pengecualian Tepi

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!