A SiC bevonat kémiai gőzfázisú leválasztással (CVD), prekurzor transzformációval, plazma szórással stb. készíthető. A KÉMIAI gőzleválasztással készített bevonat egységes és tömör, jó tervezhetőségű. Metil-trikloszilán felhasználásával. (CHzSiCl3, MTS) mint szilíciumforrás, a CVD módszerrel készített SiC bevonat viszonylag kiforrott módszer ennek a bevonatnak a felhordására.
A SiC bevonat és a grafit jó kémiai kompatibilitással rendelkezik, a hőtágulási együttható különbsége közöttük kicsi, a SiC bevonat hatékonyan javíthatja a grafitanyag kopásállóságát és oxidációs ellenállását. Ezek közül a sztöchiometrikus arány, a reakcióhőmérséklet, a hígítógáz, a szennyezőgáz és egyéb körülmények nagyban befolyásolják a reakciót.
Feladás időpontja: 2022-09-14