A modern C, N, B és más nem oxidos high-tech tűzálló nyersanyagok, a légköri nyomáson szinterezett szilícium-karbid kiterjedt, gazdaságos, csiszolt vagy tűzálló homoknak mondható. A tiszta szilícium-karbid színtelen átlátszó kristály. Tehát mi a szilícium-karbid anyagszerkezete és jellemzői?
Szinterezett szilícium-karbid légköri nyomáson
A légköri nyomáson szinterezett szilícium-karbid anyagszerkezete:
Az iparban használt atmoszférikus nyomású szinterezett szilícium-karbid világossárga, zöld, kék és fekete a szennyeződések fajtája és tartalma szerint, és eltérő a tisztasága és az átlátszósága. A szilícium-karbid kristályszerkezet hatszavas vagy gyémánt alakú plutóniumra és köbös plutónium-sic-re oszlik. A plutónium-sic a kristályszerkezetben lévő szén- és szilíciumatomok eltérő halmozási sorrendje miatt sokféle deformációt hoz létre, és több mint 70 féle deformációt találtak. A béta-SIC 2100 felett alfa-SIC-vé alakul. A szilícium-karbid ipari folyamatát kiváló minőségű kvarchomok és kőolajkoksz segítségével finomítják egy ellenálláskemencében. A finomított szilícium-karbid blokkokat aprítják, savas-bázisos tisztítással, mágneses elválasztással, szitával vagy vízválasztással végzik, hogy különféle részecskeméretű termékeket állítsanak elő.
A légköri nyomású szinterezett szilícium-karbid anyagjellemzői:
A szilícium-karbid jó kémiai stabilitással, hővezető képességgel, hőtágulási együtthatóval, kopásállósággal rendelkezik, ezért a csiszolóanyagokon kívül számos felhasználási terület létezik: Például a szilícium-karbid port bevonják a turbina járókerék vagy hengerblokk belső falán egy speciális eljárás, amely javítja a kopásállóságot és 1-2-szeresére növeli az élettartamot. Hőálló, kis méretű, könnyű súlyú, nagy szilárdságú, kiváló minőségű tűzálló anyagokból készült, az energiahatékonyság nagyon jó. Az alacsony minőségű szilícium-karbid (beleértve a körülbelül 85% SiC-ot) kiváló deoxidálószer az acélgyártás sebességének növelésére és a kémiai összetétel egyszerű szabályozására az acél minőségének javítása érdekében. Ezenkívül a légköri nyomáson szinterezett szilícium-karbidot széles körben használják szilícium-szén rudak elektromos alkatrészeinek gyártásában is.
A szilícium-karbid nagyon kemény. Morse keménysége 9,5, a második a világ kemény gyémántja után (10), kiváló hővezető képességgel rendelkező félvezető, ellenáll az oxidációnak magas hőmérsékleten. A szilícium-karbidnak legalább 70 kristályos típusa van. A plutónium-szilícium-karbid egy gyakori izomer, amely 2000 feletti hőmérsékleten képződik, és hatszögletű kristályszerkezettel rendelkezik (hasonlóan a wurtzithoz). Szinterezett szilícium-karbid légköri nyomáson
A szilícium-karbid alkalmazása a félvezetőiparban
A szilícium-karbid félvezetőipari lánc főként nagy tisztaságú szilícium-karbid port, egykristály szubsztrátot, epitaxiális lemezt, tápegységeket, modulcsomagolást és terminálalkalmazásokat tartalmaz.
1. Egykristály szubsztrát Az egykristály szubsztrát félvezető hordozóanyag, vezető anyag és epitaxiális növekedési szubsztrát. Jelenleg a SiC egykristály növekedési módszerei közé tartozik a fizikai gőzátviteli módszer (PVT módszer), a folyadékfázisú módszer (LPE módszer) és a magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztási módszer (HTCVD módszer). Szinterezett szilícium-karbid légköri nyomáson
2. Epitaxiális lemez Szilícium-karbid epitaxiális lemez, szilícium-karbid lemez, egykristályos film (epitaxiális réteg), amelynek iránya megegyezik a hordozókristállyal, amely bizonyos követelményeket támaszt a szilícium-karbid hordozóval szemben. A gyakorlati alkalmazásokban a szélessávú félvezető eszközöket szinte mindegyik epitaxiális rétegben gyártják, és magát a szilícium chipet csak hordozóként használják, beleértve a GaN epitaxiális réteg hordozóját is.
3. Nagy tisztaságú szilícium-karbid por A nagy tisztaságú szilícium-karbid por a nyersanyag a szilícium-karbid egykristály PVT módszerrel történő növekedéséhez, és a termék tisztasága közvetlenül befolyásolja a szilícium-karbid egykristály növekedési minőségét és elektromos jellemzőit.
4. A tápegység szilícium-karbid anyagból készült szélessávú teljesítmény, amelynek jellemzői a magas hőmérséklet, nagy frekvencia és nagy hatékonyság. A SiC tápegység a készülék működési formájának megfelelően főként teljesítménydiódát és tápkapcsoló csövet tartalmaz.
5. Kivezetés A harmadik generációs félvezető alkalmazásokban a szilícium-karbid félvezetők előnye, hogy kiegészítik a gallium-nitrid félvezetőket. A SiC eszközök magas konverziós hatásfokának, alacsony fűtési jellemzőinek, könnyű súlyának és egyéb előnyeinek köszönhetően a feldolgozóipar igénye folyamatosan növekszik, és tendencia a SiO2 eszközök leváltása.
Feladás időpontja: 2023. június 16