Pite SiC poud pral dirèkteman afekte bon jan kalite a ak pèfòmans nan SiC sèl kristal grandi pa metòd PVT, ak materyèl yo anvan tout koreksyon pou prepare SiC poud yo se pite segondè Si poud ak pite segondè C poud, ak pite a nan C poud pral dirèkteman afekte a. pite nan poud SiC.
Materyèl bwit yo itilize nan pwodiksyon toner anjeneral gen ladan grafit flake, coke petwòl ak lank wòch mikrokristalin. Pi wo pite a nan grafit, se pi wo valè a itilize. Metòd pirifikasyon grafit ka divize an metòd fizik ak metòd chimik. Metòd pou pirifye fizik yo enkli flotasyon ak pirifikasyon tanperati ki wo, ak metòd pirifikasyon chimik yo enkli metòd asid-baz, metòd asid fluoridrik ak metòd klori torréfaction. Pami yo, metòd pou pirifye tanperati ki wo ka sèvi ak gwo pwen k ap fonn (3773K) ak pwen bouyi grafit pou reyalize pite 4N5 ak pi wo, ki enplike evaporasyon ak emisyon enpurte ak pwen bouyi ki ba, konsa pou reyalize objektif la. pirifikasyon [6]. Teknoloji kle nan toner pite segondè se retire enpurte tras. Konbine ak karakteristik pirifikasyon chimik ak pirifikasyon tanperati ki wo, se yon inik segmented konpoze segondè tanperati tèmochimik pirifikasyon pwosesis adopte pou reyalize pirifikasyon nan materyèl toner pite segondè, ak pite pwodwi a ka plis pase 6N.
Pèfòmans pwodwi ak karakteristik:
1, pite pwodwi≥99.9999% (6N);
2, estabilite poud kabòn segondè pite, wo degre de grafitizasyon, mwens enpurte;
3, granularite ak kalite ka Customized dapre itilizatè yo.
Itilizasyon prensipal pwodwi a:
■ Sentèz poud SiC pite segondè ak lòt materyèl faz solid carbure sentetik
■ Fè grandi dyaman
■ Nouvo materyèl konduktiviti tèmik pou pwodwi elektwonik
■ High-end ityòm batri katod materyèl
■ Konpoze metal presye yo tou matyè premyè
