Customized SiC kouvwi barik Susceptor

Deskripsyon kout:

Nou kontinyèlman devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse, epi nou te travay soti yon teknoloji eksklizif patante, ki ka fè lyezon ki genyen ant kouch la ak substra a pi sere ak mwens tandans fè detachman.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Barik susceptor is a kleeleman yo itilize nan divès kalite pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs.Nou itilize teknoloji patante nou an pou fè asusceptor barikavèkpite trè wo,bonkouchinifòmiteak yon lavi sèvis ekselan, osi byen kesegondè rezistans chimik ak pwopriyete estabilite tèmik.

Enèji VET se lamanifakti reyèl nan grafit Customized ak pwodwi carbure Silisyòm ak kouch CVD,ka baydivès kalitepati Customized pou endistri semi-conducteurs ak fotovoltaik. Oekip teknik nou an soti nan enstitisyon rechèch domestik tèt yo, ka bay solisyon materyèl plis pwofesyonèlpou ou.

Nou kontinyèlman devlope pwosesis avanse pou bay materyèl ki pi avanse,epite travay soti yon teknoloji eksklizif patante, ki ka fè lyezon ki genyen ant kouch la ak substra a pi sere ak mwens tandans fè detachman.

Features nan pwodwi nou yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo jiska 1700℃.
2. pite anwo nan syèl la akinifòmite tèmik
3. Ekselan rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
4. Segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
5. Pi long lavi sèvis ak plis dirab

CVD SiC薄膜基本物理性能 Pwopriyete fizik debaz CVD SiCkouch
性质 / Pwopriyete	典型数值 / Valè tipik
晶体结构 / Crystal Estrikti	FCC β faz多晶，主要为（111）取向
密度 / Dansite	3.21 g / cm³
硬度 / Dite	2500 维氏硬度（500g chaj）
晶粒大小 / Gwosè Grenn	2 ~ 10μm
纯度 / Pite chimik	99.99995%
热容 / Kapasite Chalè	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Tanperati sublimasyon	2700℃
抗弯强度 / Fòs Flexural	415 MPa RT 4-pwen
杨氏模量 / Modil Young	430 Gpa 4pt pliye, 1300 ℃
导热系数 / ThermalKonduktivite	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Ekspansyon tèmik (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1