Pwosesis kwasans kristal carbure Silisyòm ak teknoloji ekipman

1. SiC kristal kwasans teknoloji wout

PVT (metòd sublimasyon),

HTCVD (tanperati wo CVD),

LPE(metòd faz likid)

se twa komenSiC kristalmetòd kwasans;

Metòd ki pi rekonèt nan endistri a se metòd PVT, ak plis pase 95% nan kristal sèl SiC yo grandi pa metòd PVT la;

EndistriyalizeSiC kristalgwo founo kwasans itilize wout endikap teknoloji PVT endistri a.

2. SiC kristal kwasans pwosesis

Poud sentèz-grenn tretman kristal-kristal kwasans-ingot recuit-waferpwosesis.

3. PVT metòd pou grandiSiC kristal

SiC matyè premyè yo mete nan pati anba a nan kreze grafit la, ak kristal grenn SiC a se nan tèt la nan kreze grafit la. Lè yo ajiste izolasyon an, tanperati a nan matyè premyè SiC a pi wo ak tanperati a nan kristal pitit pitit la pi ba. Materyèl SiC anvan tout koreksyon nan tanperati ki wo sublime ak dekonpoze nan sibstans ki sou faz gaz, ki transpòte nan kristal la pitit pitit ak tanperati ki pi ba ak kristalize yo fòme kristal SiC. Pwosesis kwasans debaz la gen ladan twa pwosesis: dekonpozisyon ak sublimasyon matyè premyè, transfè mas, ak kristalizasyon sou kristal grenn.

Dekonpozisyon ak sublimasyon matyè premyè:

SiC(S)= Si(g)+C(S)

2SiC(S)= Si(g)+ SiC2(g)

2SiC(S)=C(S)+SiC2(g)

Pandan transfè mas, vapè Si plis reyaji ak miray kreze grafit la pou fòme SiC2 ak Si2C:

Si(g)+2C(S) =SiC2(g)

2Si(g) +C(S)=Si2C(g)

Sou sifas kristal grenn lan, twa faz gaz yo grandi atravè de fòmil sa yo pou jenere kristal carbure Silisyòm:

SiC2_(g)+Si2C_(g)=3SiC_(yo)

Si_(g)+SiC2_(g)=2SiC_(S)

4. PVT metòd pou grandi SiC kristal kwasans ekipman teknoloji wout

Kounye a, chofaj endiksyon se yon wout teknoloji komen pou PVT metòd SiC kristal kwasans founo;

Bobin chofaj ekstèn endiksyon ak chofaj rezistans grafit yo se direksyon devlopman nanSiC kristalgwo founo kwasans.

5. 8-pous SiC endiksyon chofaj kwasans gwo founo dife

(1) Chofaj lakreze grafit eleman chofajatravè endiksyon chan mayetik; kontwole jaden tanperati a pa ajiste pouvwa chofaj la, pozisyon bobin, ak estrikti izolasyon;

(2) Chofe kreze grafit la atravè chofaj rezistans grafit ak kondiksyon radyasyon tèmik; kontwole jaden tanperati a pa ajiste aktyèl la nan aparèy chofaj grafit la, estrikti nan aparèy chofaj la, ak kontwòl aktyèl la zòn;