Kouch SiC ka prepare pa depozisyon chimik vapè (CVD), transfòmasyon précurseur, plasma flite, elatriye. Kouch la prepare pa depo vapè CHIMIK se inifòm ak kontra enfòmèl ant, e li gen bon konsepsyon. Sèvi ak methyl trichlosilan. (CHzSiCl3, MTS) kòm sous Silisyòm, SiC kouch prepare pa metòd CVD se yon metòd relativman matirite pou aplikasyon an nan kouch sa a.
Kouch SiC ak grafit gen bon konpatibilite chimik, diferans nan koyefisyan ekspansyon tèmik ant yo piti, lè l sèvi avèk kouch SiC ka efektivman amelyore rezistans nan mete ak rezistans oksidasyon nan materyèl grafit. Pami yo, rapò esteyometrik, tanperati reyaksyon, gaz dilution, gaz enpurte ak lòt kondisyon gen gwo enfliyans sou reyaksyon an.
Tan pòs: 14 septanm 2022