SiC kouvwi baz grafit yo souvan itilize sipòte ak chofe substrats kristal sèl nan ekipman metal-òganik depo chimik vapè (MOCVD). Estabilite nan tèmik, inifòmite tèmik ak lòt paramèt pèfòmans nan baz grafit kouvwi SiC jwe yon wòl desizif nan bon jan kalite a nan kwasans materyèl epitaxial, kidonk li se eleman prensipal kle nan ekipman MOCVD.
Nan pwosesis la nan fabrikasyon wafer, kouch epitaxial yo plis konstwi sou kèk substrats wafer fasilite fabrikasyon aparèy yo. Aparèy tipik ki ap dirije limyè ki emèt yo bezwen prepare kouch epitaxial GaAs sou substrat Silisyòm; Kouch epitaxial SiC la grandi sou substra SiC kondiktif pou konstriksyon aparèy tankou SBD, MOSFET, elatriye, pou vòltaj segondè, segondè aktyèl ak lòt aplikasyon pou pouvwa; Kouch epitaxial GaN konstwi sou substra SiC semi-izole pou plis konstwi HEMT ak lòt aparèy pou aplikasyon RF tankou kominikasyon. Pwosesis sa a se inséparabl nan ekipman CVD.
Nan ekipman CVD, substra a pa ka dirèkteman mete sou metal la oswa tou senpleman mete sou yon baz pou depo epitaxial, paske li enplike koule gaz la (orizontal, vètikal), tanperati, presyon, fiksasyon, koule nan polyan ak lòt aspè nan. faktè enfliyans yo. Se poutèt sa, li nesesè yo sèvi ak yon baz, ak Lè sa a, mete substra a sou disk la, ak Lè sa a, sèvi ak teknoloji CVD nan depo epitaxial sou substra a, ki se baz la SiC kouvwi grafit (ke yo rele tou plato a).
SiC kouvwi baz grafit yo souvan itilize sipòte ak chofe substrats kristal sèl nan ekipman metal-òganik depo chimik vapè (MOCVD). Estabilite nan tèmik, inifòmite tèmik ak lòt paramèt pèfòmans nan baz grafit kouvwi SiC jwe yon wòl desizif nan bon jan kalite a nan kwasans materyèl epitaxial, kidonk li se eleman prensipal kle nan ekipman MOCVD.
Metal-òganik depo chimik vapè (MOCVD) se teknoloji endikap pou kwasans epitaksial fim GaN nan ki ap dirije ble. Li gen avantaj ki genyen nan operasyon senp, to kwasans kontwole ak pite segondè nan fim GaN. Kòm yon eleman enpòtan nan chanm reyaksyon an nan ekipman MOCVD, baz kote yo pote yo itilize pou kwasans epitaxial fim GaN bezwen gen avantaj ki genyen nan rezistans tanperati ki wo, inifòm konduktiviti tèmik, bon estabilite chimik, fò rezistans chòk tèmik, elatriye materyèl grafit ka rankontre. kondisyon ki anwo yo.
Kòm youn nan eleman debaz yo nan ekipman MOCVD, baz grafit se konpayi asirans lan ak kò chofaj nan substra a, ki dirèkteman detèmine inifòmite a ak pite nan materyèl la fim, kidonk bon jan kalite li dirèkteman afekte preparasyon an nan fèy epitaxial la, ak nan menm bagay la. tan, ak ogmantasyon nan kantite itilizasyon ak chanjman nan kondisyon travay, li trè fasil yo mete, ki fè pati consommables yo.
Malgre ke grafit gen ekselan konduktiviti tèmik ak estabilite, li gen yon bon avantaj kòm yon eleman baz nan ekipman MOCVD, men nan pwosesis pwodiksyon an, grafit pral korode poud lan akòz rezidi nan gaz korozivite ak òganik metalik, ak lavi sa a ki sèvis nan la. baz grafit ap redwi anpil. An menm tan an, poud grafit tonbe a pral lakòz polisyon nan chip la.
Aparisyon nan teknoloji kouch ka bay fiksasyon poud sifas, amelyore konduktiviti tèmik, ak egalize distribisyon chalè, ki te vin teknoloji prensipal la pou rezoud pwoblèm sa a. Graphite baz nan MOCVD ekipman itilize anviwònman, grafit baz sifas kouch ta dwe satisfè karakteristik sa yo:
(1) baz grafit la ka konplètman vlope, ak dansite a bon, otreman baz grafit la fasil pou korode nan gaz korozif la.
(2) Fòs konbinezon ak baz grafit la wo pou asire ke kouch la pa fasil pou tonbe apre plizyè sik tanperati ki wo ak tanperati ki ba.
(3) Li gen bon estabilite chimik pou fè pou evite echèk kouch nan tanperati ki wo ak atmosfè korozivite.
SiC gen avantaj ki genyen nan rezistans korozyon, segondè konduktiviti tèmik, rezistans chòk tèmik ak estabilite chimik segondè, epi li ka travay byen nan atmosfè epitaxial GaN. Anplis de sa, koyefisyan ekspansyon tèmik nan SiC diferan anpil ak sa yo ki an grafit, kidonk SiC se materyèl la pi pito pou kouch sifas la nan baz grafit.
Kounye a, SiC komen an se sitou 3C, 4H ak 6H kalite, ak itilizasyon SiC diferan kalite kristal yo diferan. Pou egzanp, 4H-SiC ka fabrike aparèy ki gen gwo pouvwa; 6H-SiC se pi estab la epi li ka fabrike aparèy foto-elektrik; Akòz estrikti ki sanble ak GaN, 3C-SiC ka itilize pou pwodwi kouch epitaksi GaN ak fabrike aparèy SiC-GaN RF. 3C-SiC se tou souvan ke yo rekonèt kòm β-SiC, ak yon itilizasyon enpòtan nan β-SiC se kòm yon fim ak materyèl kouch, kidonk β-SiC se kounye a materyèl prensipal la pou kouch.
Tan pòs: Out-04-2023