Modèn C, N, B ak lòt ki pa oksid gwo teknoloji materyèl bwit refractory, presyon atmosferik sintered Silisyòm carbure se vaste, ekonomik, yo ka di yo dwe Emery oswa sab refractory. Pi bon kalite carbure Silisyòm se kristal san koulè transparan. Se konsa, ki estrikti materyèl la ak karakteristik carbure Silisyòm?
Sintered carbure Silisyòm anba presyon atmosferik
Estrikti materyèl nan presyon atmosferik carbure Silisyòm sintered:
Presyon atmosferik Silisyòm carbure ki itilize nan endistri a se limyè jòn, vèt, ble ak nwa dapre kalite ak kontni enpurte, ak pite a diferan ak transparans la diferan. Se estrikti nan kristal carbure Silisyòm divize an sis-mo oswa dyaman ki gen fòm plitonyòm ak kib plitonyòm-sic. Plitonyòm-sic fòme yon varyete deformation akòz diferan lòd anpile nan atòm kabòn ak Silisyòm nan estrikti kristal la, ak plis pase 70 kalite deformation yo te jwenn. beta-SIC konvèti nan alfa-SIC pi wo a 2100. Pwosesis endistriyèl nan carbure Silisyòm rafine ak sab kwatz-wo kalite ak coke petwòl nan yon gwo founo dife. Blòk rafine carbure Silisyòm yo kraze, netwayaj asid-baz, separasyon mayetik, tès depistaj oswa seleksyon dlo yo pwodwi yon varyete pwodwi gwosè patikil.
Karakteristik materyèl presyon atmosferik carbure Silisyòm sintered:
Silisyòm carbure gen bon estabilite chimik, konduktiviti tèmik, koyefisyan ekspansyon tèmik, rezistans mete, kidonk anplis itilizasyon abrazif, gen anpil itilizasyon: Pou egzanp, poud carbure Silisyòm kouvwi sou miray enteryè a turbine roue oswa blòk silenn. yon pwosesis espesyal, ki ka amelyore rezistans nan mete ak pwolonje lavi a nan 1 a 2 fwa. Te fè nan chalè ki reziste, ti gwosè, pwa limyè, segondè fòs nan materyèl refractory segondè-klas, efikasite enèji se trè bon. Karbid Silisyòm ba-klas (ki gen ladan apeprè 85% SiC) se yon deoksidan ekselan pou ogmante vitès asye ak fasil kontwole konpozisyon chimik pou amelyore kalite asye. Anplis de sa, presyon atmosferik carbure Silisyòm sintered tou lajman ki itilize nan envantè de pati elektrik nan branch bwa Silisyòm kabòn.
Silisyòm carbure trè difisil. Morse dite se 9.5, dezyèm sèlman nan mond lan difisil dyaman (10), se yon semi-conducteurs ak ekselan konduktiviti tèmik, ka reziste oksidasyon nan tanperati ki wo. Silisyòm carbure gen omwen 70 kalite cristalline. Karbid Plutonyòm-Silisyòm se yon izomè komen ki fòme nan tanperati ki pi wo a 2000 epi li gen yon estrikti kristal egzagonal (menm jan ak wurtzite). Sintered carbure Silisyòm anba presyon atmosferik
Aplikasyon carbure Silisyòm nan endistri semi-conducteurs
Silisyòm carbure semi-conducteurs endistri chèn sitou gen ladann Silisyòm carbure poud pite, yon sèl kristal substrate, epitaxial fèy, konpozan pouvwa, anbalaj modil ak aplikasyon tèminal.
1. Substra kristal sèl Substra kristal sèl se yon materyèl sipò semi-conducteurs, materyèl konduktif ak substra kwasans epitaxial. Kounye a, metòd kwasans SiC sèl kristal gen ladan metòd transfè vapè fizik (metòd PVT), metòd faz likid (metòd LPE), ak metòd depo chimik tanperati ki wo (metòd HTCVD). Sintered carbure Silisyòm anba presyon atmosferik
2. Epitaxial fèy Silisyòm carbure epitaksi fèy, fèy carbure Silisyòm, fim kristal sèl (epitaxial kouch) ak menm direksyon an kòm kristal la substra ki gen sèten kondisyon pou substra a carbure Silisyòm. Nan aplikasyon pratik, aparèy semi-conducteurs lajè band gap yo prèske tout fabrike nan kouch epitaxial la, ak chip Silisyòm nan tèt li se sèlman itilize kòm substra a, ki gen ladan substra a nan kouch epitaxial GaN.
3. Silisyòm carbure poud High-purity Silisyòm carbure poud se materyèl bwit pou kwasans silikon carbure yon sèl kristal pa metòd PVT, ak pite a nan pwodwi a dirèkteman afekte bon jan kalite a kwasans ak karakteristik elektrik nan silikon carbure kristal sèl.
4. Aparèy pouvwa a se yon pouvwa lajè-bann ki fèt ak materyèl carbure Silisyòm, ki gen karakteristik tanperati ki wo, segondè frekans ak efikasite segondè. Dapre fòm nan fonksyone nan aparèy la, aparèy la ekipman pou pouvwa SiC sitou gen ladan yon dyòd pouvwa ak yon tib switch pouvwa.
5. Tèminal Nan aplikasyon semi-conducteurs twazyèm jenerasyon, semi-conducteurs carbure Silisyòm gen avantaj pou yo konplemantè semi-conducteurs nitrure galyòm. Akòz efikasite konvèsyon segondè, karakteristik chofaj ki ba, ki lejè ak lòt avantaj nan aparèy SiC, demann endistri en ap kontinye ogmante, e gen yon tandans pou ranplase aparèy SiO2.
Tan poste: Jun-16-2023