SiC yon sèl kristal se yon Gwoup IV-IV konpoze materyèl semi-conducteurs konpoze de de eleman, Si ak C, nan yon rapò esteyometrik nan 1:1. Dite li se dezyèm sèlman nan dyaman.
Rediksyon kabòn nan metòd oksid Silisyòm pou prepare SiC se sitou ki baze sou fòmil reyaksyon chimik sa a:
Pwosesis reyaksyon an nan rediksyon kabòn nan oksid Silisyòm se relativman konplèks, nan ki tanperati a reyaksyon dirèkteman afekte pwodwi final la.
Nan pwosesis preparasyon an nan carbure Silisyòm, matyè premyè yo premye mete nan yon gwo founo dife rezistans. Founo a rezistans konsiste de mi fen nan tou de bout, ak yon elektwòd grafit nan sant la, ak nwayo a founo konekte de elektwòd yo. Sou periferik nwayo founo a, matyè premyè k ap patisipe nan reyaksyon an premye mete, epi yo mete materyèl yo itilize pou prezèvasyon chalè sou periferik la. Lè SMELTING kòmanse, gwo founo dife a se kouran ak tanperati a monte nan 2,600 a 2,700 degre Sèlsiyis. Enèji chalè elektrik transfere nan chaj la atravè sifas nwayo a gwo founo dife, sa ki lakòz li piti piti chofe. Lè tanperati chaj la depase 1450 degre Sèlsiyis, yon reyaksyon chimik rive pou jenere gaz carbure Silisyòm ak monoksid kabòn. Kòm pwosesis la SMELTING ap kontinye, zòn nan wo-tanperati nan chaj la pral piti piti elaji, ak kantite lajan an nan carbure Silisyòm pwodwi ap ogmante tou. Silisyòm carbure se kontinyèlman fòme nan gwo fou a, ak atravè evaporasyon ak mouvman, kristal yo piti piti grandi epi evantyèlman rasanble nan kristal silendrik.
Pati nan miray enteryè kristal la kòmanse dekonpoze akòz tanperati ki wo ki depase 2,600 degre Sèlsiyis. Eleman Silisyòm ki te pwodwi pa dekonpozisyon pral rekonbine ak eleman kabòn nan chaj la pou fòme nouvo carbure Silisyòm.
Lè reyaksyon chimik carbure Silisyòm (SiC) fini ak gwo fou a refwadi, pwochen etap la ka kòmanse. Premyèman, mi yo nan gwo founo dife yo demoute, ak Lè sa a, materyèl yo anvan tout koreksyon nan gwo founo dife a yo chwazi ak klase kouch pa kouch. Matyè premyè yo chwazi yo kraze pou jwenn materyèl granulaire nou vle a. Apre sa, enpurte nan matyè premyè yo retire nan lave dlo oswa netwaye ak solisyon asid ak alkali, osi byen ke separasyon mayetik ak lòt metòd. Netwaye matyè premyè yo bezwen cheche ak Lè sa a, tès depistaj ankò, epi finalman pi bon kalite poud carbure Silisyòm ka jwenn. Si sa nesesè, poud sa yo ka plis trete selon itilizasyon aktyèl la, tankou fòm oswa amann fanm k'ap pile, yo pwodwi pi rafine poud carbure Silisyòm.
Etap espesifik yo se jan sa a:
(1) Matyè premyè
Green Silisyòm carbure mikwo poud se pwodwi pa kraze pi grosye vèt carbure Silisyòm. Konpozisyon chimik nan carbure Silisyòm yo ta dwe pi gran pase 99%, ak kabòn gratis ak oksid fè yo ta dwe mwens pase 0.2%.
(2) Kase
Pou kraze sab carbure Silisyòm nan amann poud, de metòd yo kounye a yo itilize nan Lachin, youn se moulen boul mouye tanzantan kraze, ak lòt la ap kraze lè l sèvi avèk yon moulen poud airflow.
(3) Separasyon mayetik
Kèlkeswa metòd yo itilize pou kraze silisyòm carbure poud nan amann poud, separasyon mayetik mouye ak separasyon mayetik mekanik yo anjeneral yo itilize. Sa a se paske pa gen okenn pousyè pandan separasyon mouye mayetik, materyèl yo mayetik yo konplètman separe, pwodwi a apre separasyon mayetik gen mwens fè, ak poud nan carbure Silisyòm wete pa materyèl yo mayetik tou se mwens.
(4) Separasyon dlo
Prensip debaz nan metòd separasyon dlo a se sèvi ak vitès yo rezoud diferan nan patikil carbure Silisyòm nan dyamèt diferan nan dlo pou fè klasman gwosè patikil.
(5) tès depistaj ultrasons
Avèk devlopman teknoloji ultrasons, li te tou lajman itilize nan tès depistaj ultrasons nan teknoloji mikwo-poud, ki ka fondamantalman rezoud pwoblèm tès depistaj tankou adsorption fò, aglomerasyon fasil, elektrisite estatik segondè, rafineman segondè, dansite segondè, ak gravite espesifik limyè. .
(6) enspeksyon kalite
Enspeksyon kalite Micropowder gen ladan konpozisyon chimik, konpozisyon gwosè patikil ak lòt atik. Pou metòd enspeksyon ak estanda kalite, tanpri al gade nan "Kondisyon teknik Silisyòm Carbide."
(7) Manje pwodiksyon pousyè
Apre poud mikwo a gwoupe ak tès depistaj, tèt materyèl la ka itilize pou prepare poud fanm k'ap pile. Pwodiksyon an nan poud fanm k'ap pile ka diminye fatra ak pwolonje chèn pwodwi a.
Lè poste: Me-13-2024