Tout sa nou fè se toujou ki gen rapò ak prensip nou an "Kliyan an premye, gen konfyans nan 1ye, konsakre sou anbalaj la manje ak pwoteksyon anviwònman an pou vann faktori Lachin poli Silisyòm Carbide Sisic Manje Barik Fòm Sic Tib pou Manje Mill, Nou cho akeyi kandida, asosyasyon òganizasyon. ak konpayon ki soti toupatou sou tè a pou kontakte nou epi mande koperasyon pou benefis mityèl.
Tout sa nou fè se toujou ki gen rapò ak prensip nou an "Kliyan an premye, gen konfyans nan 1ye, konsakre sou anbalaj manje yo ak pwoteksyon anviwònman an pouLachin SAE1026 Honing Tib, S45c Afine Tib, Pwodiksyon nou yo te ekspòte nan plis pase 30 peyi ak rejyon kòm sous premye men ak pri ki pi ba. Nou sensèman akeyi kliyan ki soti nan tou de nan kay ak aletranje pou vini nan negosye biznis avèk nou.
Deskripsyon Product
Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme kouch pwoteksyon SIC.
Karakteristik prensipal yo:
1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1600 C.
2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Crystal Estrikti | FCC β faz | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Vickers dite | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2 ~ 10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati sublimasyon | ℃ | 2700 |
| Flèsural fòs | MPa (RT 4-pwen) | 415 |
| Modil Young la | Gpa (4pt koube, 1300 ℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
