Kòporasyon nou an ensiste pandan tout tan politik bon jan kalite a nan "pi bon kalite pwodwi se baz siviv òganizasyon; plezi achtè yo pral pwen an fikse ak fen nan yon konpayi; amelyorasyon ki pèsistan se pouswit p'ap janm fini an nan anplwaye yo" plis objektif la ki konsistan nan "repitasyon trè premye, achtè an premye" pou faktori dirèkteman bay Lachin Electro Graphite Block, Anplwaye a nan biznis nou an ak tout itilizasyon teknoloji dènye kri delivre pafè solisyon ekselan siprèm adore. ak apresye pa kliyan nou yo globalman.
Kòporasyon nou an ensiste pandan tout tan politik bon jan kalite a nan "pi bon kalite pwodwi se baz siviv òganizasyon; plezi achtè yo pral pwen an fikse ak fen nan yon konpayi; amelyorasyon ki pèsistan se pouswit etènèl anplwaye yo" plis objektif ki konsistan nan "repitasyon trè premye, achtè an premye" pouBlòk Kabòn, Lachin Graphite blòk, Anplwaye nou yo respekte lespri "Devlopman Entegrite ki baze sou ak entèaktif", ak prensip "Bon kalite premye klas ak sèvis ekselan". Dapre bezwen chak kliyan, nou bay sèvis Customized ak pèsonalize pou ede kliyan reyalize objektif yo avèk siksè. Byenveni kliyan soti nan kay ak aletranje pou rele ak mande!
Kabòn / konpoze kabòn(ki refere yo kòm "C / C oswa CFC") se yon kalite materyèl konpoze ki baze sou kabòn ak ranfòse pa fib kabòn ak pwodwi li yo (preform fib kabòn). Li gen tou de inèsi kabòn ak fòs segondè nan fib kabòn. Li gen bon pwopriyete mekanik, rezistans chalè, rezistans korozyon, tranpaj friksyon ak karakteristik konduktiviti tèmik ak elektrik.
CVD-SiCkouch gen karakteristik estrikti inifòm, materyèl kontra enfòmèl ant, rezistans tanperati ki wo, rezistans oksidasyon, segondè pite, rezistans asid & alkali ak reyaktif òganik, ak pwopriyete ki estab fizik ak chimik.
Konpare ak materyèl grafit-wo pite, grafit kòmanse oksidasyon nan 400C, ki pral lakòz yon pèt nan poud akòz oksidasyon, sa ki lakòz polisyon nan anviwònman an nan aparèy periferik ak chanm vakyòm, ak ogmante enpurte nan anviwònman pite segondè.
Sepandan, SiC kouch ka kenbe estabilite fizik ak chimik nan 1600 degre, Li se lajman ki itilize nan endistri modèn, espesyalman nan endistri semi-conducteurs.
Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme kouch pwoteksyon SIC. SIC ki te fòme se byen fèm estokaj nan baz grafit la, bay baz la grafit pwopriyete espesyal, konsa fè sifas la nan kontra enfòmèl ant grafit la, porosite-gratis, rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon ak rezistans oksidasyon.
Karakteristik prensipal yo:
1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1600 C.
2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Dansite | (g/cc)
| 3.21 |
| Fòs flexural | (Mpa)
| 470 |
| Ekspansyon tèmik | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300
|
