Sinterirani silicijev karbid Sic kristal / pločica

The Sinteredsilicijev karbid (SiC)Kristal/Brod napolitankije dizajniran za rigorozne zahtjeve industrije poluvodiča i mikroelektronike. Pruža sigurnu platformu za rukovanje silicijskim kristalima i pločicama tijekom visokotemperaturne obrade, osiguravajući da se njihov integritet i čistoća održavaju cijelo vrijeme.

Ključne značajke

1. Izvanredna toplinska stabilnost: Može izdržati temperature do 1600°C, idealno za procese koji zahtijevaju preciznu kontrolu topline.
2. Vrhunska kemijska otpornost: Otporan na većinu korozivnih kemikalija i plinova, pružajući izdržljivost u teškim radnim okruženjima.
3. Robusna mehanička čvrstoća: Održava strukturalni integritet pod velikim naprezanjem, smanjujući vjerojatnost deformacije ili loma.
4. Minimalno toplinsko širenje: Dizajnirano da minimizira rizik od toplinskog udara i pucanja, nudeći pouzdanu izvedbu tijekom produljene uporabe.
5. Precizna proizvodnja: Izrađen s visokom preciznošću kako bi zadovoljio specifične zahtjeve procesa i prilagodio različite veličine kristala i pločica.

Prijave

• Obrada poluvodičkih pločica

• Proizvodnja LED dioda

• Proizvodnja fotonaponskih ćelija

• Sustavi kemijskog taloženja iz parne pare (CVD).

• Istraživanje i razvoj u znanosti o materijalima