Grafitni susceptor obložen silicijevim karbidom za LED jetkanje

Grafitni susceptor presvučen silicijevim karbidom za LED jetkanje Istaknuta slika

Kratki opis:

Silicij-karbidni suceptor za LED jetkanje (SiC tray) poseban je dodatak za dubinsko jetkanje silicija (ICP stroj za jetkanje). nosač pločice, također poznat kao nosač pločice, silikonski nosač pločice, također poznat kao džepna pločica. Široko se koristi u CVD poluvodiču i vakuumskom raspršivanju.

Pošaljite nam e-poštu Preuzmite kao PDF

Pojedinosti o proizvodu

Oznake proizvoda

Susceptor presvučen silicijevim karbidom jea ključkomponenta koja se koristi u različitim procesima proizvodnje poluvodiča.Koristimo našu patentiranu tehnologiju za izradu suceptora presvučenog silicijevim karbidomizuzetno visoke čistoće,dobropremazivanjeujednačenosti izvrstan vijek trajanja, kao ivisoka svojstva kemijske otpornosti i toplinske stabilnosti.

VET Energy je thepravi proizvođač prilagođenih proizvoda od grafita i silicij karbida s CVD premazom,može opskrbitirazneprilagođeni dijelovi za poluvodičku i fotonaponsku industriju. Onaš tehnički tim dolazi iz vrhunskih domaćih istraživačkih institucija, može pružiti profesionalnija materijalna rješenjaza vas.

Kontinuirano razvijamo napredne procese kako bismo osigurali naprednije materijale,irazradili su ekskluzivnu patentiranu tehnologiju koja može učiniti spoj između premaza i podloge čvršćim i manje sklonim odvajanju.

Fkarakteristike naših proizvoda:

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama do 1700℃.
2. Visoka čistoća itoplinska jednolikost
3. Izvrsna otpornost na koroziju: kiseline, lužine, soli i organski reagensi.
4. Visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
5. Duži vijek trajanja i izdržljiviji

KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovna fizikalna svojstva CVD SiCpremazivanje
性质 / Vlasništvo	典型数值 / Tipična vrijednost
晶体结构 / Kristalna struktura	FCC β faza多晶，主要为（111）取向
密度 / Gustoća	3,21 g/cm³
硬度 / Tvrdoća	2500 维氏硬度（500g opterećenja）
晶粒大小 / Veličina zrna	2~10 μm
纯度 / Kemijska čistoća	99,99995%
热容 / Kapacitet topline	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura sublimacije	2700 ℃
抗弯强度 / Čvrstoća na savijanje	415 MPa RT 4 točke
杨氏模量 / Youngov modul	430 Gpa 4pt zavoj, 1300 ℃
导热系数 / ThermalProvodljivost	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Toplinska ekspanzija (CTE)	4,5×10^-6K^-1