Epitaksijalni Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksijalni Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaksijalni Epi Graphite Barrel Susceptorje posebno dizajniran uređaj za podršku i grijanje koji se koristi za držanje i zagrijavanje poluvodičkih supstrata tijekom proizvodnih procesa poput procesa taloženja ili epitaksije.

Njegova struktura uključuje tipično cilindrični ili blago bačvasti oblik, površina ima višestruke džepove ili platforme za postavljanje vafla, može biti pun ili šuplji dizajn, ovisno o načinu zagrijavanja.

Glavne funkcije epitaksijalnog bačvastog suceptora:

-Podrška za supstrat: sigurno drži više poluvodičkih pločica;
-Izvor topline: zagrijavanjem osigurava visoke temperature potrebne za rast;
-Ujednačenost temperature: osigurava ravnomjerno zagrijavanje podloga;
-Rotacija: obično se okreće tijekom rasta kako bi se poboljšala ujednačenost temperature i distribucije plina.

Princip rada Epi grafitnog bačvastog suceptora:
- U epitaksijalnom reaktoru, bačvasti susceptor se zagrijava na potrebnu temperaturu (obično 1000 ℃-1200 ℃ za silikonsku epitaksiju);
-Bačvasti suceptor se okreće kako bi se osigurala ravnomjerna raspodjela temperature i protok plina;
-Reakcijski plinovi se raspadaju na visokim temperaturama, stvarajući epitaksijalne slojeve na površini supstrata.

Prijave:
-Primarno se koristi za epitaksijalni rast silicija
-Također primjenjivo za epitaksiju drugih poluvodičkih materijala kao što su GaAs, InP, itd.

VET Energy koristi grafit visoke čistoće s CVD-SiC premazom za povećanje kemijske stabilnosti:

Prednosti VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Visoka temperaturna stabilnost;
-Dobra toplinska ujednačenost;
-Može obrađivati ​​više supstrata istovremeno, poboljšavajući učinkovitost proizvodnje;
-Kemijski inertan, održava okoliš visoke čistoće za rast.