समाचार

विशेष ग्रेफाइट के प्रकार
24-06-17 को एडमिन द्वारा
विशेष ग्रेफाइट एक उच्च शुद्धता, उच्च घनत्व और उच्च शक्ति वाली ग्रेफाइट सामग्री है और इसमें उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापमान स्थिरता और महान विद्युत चालकता है। यह उच्च तापमान ताप उपचार और उच्च दबाव प्रसंस्करण के बाद प्राकृतिक या कृत्रिम ग्रेफाइट से बना है...
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पतली फिल्म जमाव उपकरण का विश्लेषण - पीईसीवीडी/एलपीसीवीडी/एएलडी उपकरण के सिद्धांत और अनुप्रयोग
24-06-12 को व्यवस्थापक द्वारा
पतली फिल्म का जमाव अर्धचालक की मुख्य सब्सट्रेट सामग्री पर फिल्म की एक परत को कोट करने के लिए है। यह फिल्म विभिन्न सामग्रियों से बनाई जा सकती है, जैसे इंसुलेटिंग कंपाउंड सिलिकॉन डाइऑक्साइड, सेमीकंडक्टर पॉलीसिलिकॉन, मेटल कॉपर इत्यादि। कोटिंग के लिए उपयोग किए जाने वाले उपकरण को पतली फिल्म जमाव कहा जाता है...
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महत्वपूर्ण सामग्रियां जो मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन वृद्धि की गुणवत्ता निर्धारित करती हैं - थर्मल क्षेत्र
24-06-12 को व्यवस्थापक द्वारा
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन की वृद्धि प्रक्रिया पूरी तरह से थर्मल क्षेत्र में की जाती है। एक अच्छा तापीय क्षेत्र क्रिस्टल की गुणवत्ता में सुधार के लिए अनुकूल होता है और इसमें क्रिस्टलीकरण दक्षता अधिक होती है। तापीय क्षेत्र का डिज़ाइन काफी हद तक तापमान प्रवणता में परिवर्तन को निर्धारित करता है...
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सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस की तकनीकी कठिनाइयाँ क्या हैं?
24-06-07 को व्यवस्थापक द्वारा
क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ के लिए मुख्य उपकरण है। यह पारंपरिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन ग्रेड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस के समान है। भट्टी की संरचना बहुत जटिल नहीं है। यह मुख्य रूप से फर्नेस बॉडी, हीटिंग सिस्टम, कॉइल ट्रांसमिशन मैकेनिज्म से बना है...
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सिलिकॉन कार्बाइड एपिटैक्सियल परत के दोष क्या हैं?
24-06-05 को व्यवस्थापक द्वारा
SiC एपिटैक्सियल सामग्रियों के विकास के लिए मुख्य तकनीक सबसे पहले दोष नियंत्रण तकनीक है, विशेष रूप से दोष नियंत्रण तकनीक के लिए जो डिवाइस की विफलता या विश्वसनीयता में गिरावट का खतरा है। एपी में फैले सब्सट्रेट दोषों के तंत्र का अध्ययन...
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ऑक्सीकृत खड़े अनाज और एपिटैक्सियल विकास प्रौद्योगिकी-Ⅱ
24-05-30 को व्यवस्थापक द्वारा
2. एपिटैक्सियल पतली फिल्म वृद्धि सब्सट्रेट Ga2O3 बिजली उपकरणों के लिए एक भौतिक समर्थन परत या प्रवाहकीय परत प्रदान करता है। अगली महत्वपूर्ण परत चैनल परत या एपिटैक्सियल परत है जिसका उपयोग वोल्टेज प्रतिरोध और वाहक परिवहन के लिए किया जाता है। ब्रेकडाउन वोल्टेज को बढ़ाने और खपत को कम करने के लिए...
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गैलियम ऑक्साइड सिंगल क्रिस्टल और एपिटैक्सियल ग्रोथ तकनीक
24-05-30 को व्यवस्थापक द्वारा
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) द्वारा दर्शाए गए वाइड बैंडगैप (WBG) अर्धचालकों ने व्यापक ध्यान आकर्षित किया है। लोगों को इलेक्ट्रिक वाहनों और पावर ग्रिडों में सिलिकॉन कार्बाइड के अनुप्रयोग की संभावनाओं के साथ-साथ गैलियम के अनुप्रयोग की संभावनाओं से भी बहुत उम्मीदें हैं...
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सिलिकॉन कार्बाइड में तकनीकी बाधाएँ क्या हैं?Ⅱ
24-05-22 को व्यवस्थापक द्वारा
स्थिर प्रदर्शन के साथ उच्च गुणवत्ता वाले सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स के बड़े पैमाने पर उत्पादन में तकनीकी कठिनाइयों में शामिल हैं: 1) चूंकि क्रिस्टल को 2000 डिग्री सेल्सियस से ऊपर उच्च तापमान वाले सीलबंद वातावरण में बढ़ने की आवश्यकता होती है, इसलिए तापमान नियंत्रण की आवश्यकताएं बेहद अधिक होती हैं; 2) चूँकि सिलिकॉन कार्बाइड में...
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सिलिकॉन कार्बाइड में तकनीकी बाधाएँ क्या हैं?
24-05-22 को व्यवस्थापक द्वारा
अर्धचालक सामग्रियों की पहली पीढ़ी पारंपरिक सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) द्वारा दर्शायी जाती है, जो एकीकृत सर्किट निर्माण का आधार हैं। इनका व्यापक रूप से कम-वोल्टेज, कम-आवृत्ति और कम-शक्ति ट्रांजिस्टर और डिटेक्टरों में उपयोग किया जाता है। 90% से अधिक अर्धचालक उत्पाद...
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