Haƙiƙa hanya ce mai kyau don haɓaka samfuranmu da mafita da gyarawa. Manufarmu ita ce samar da samfurori masu ƙima da mafita ga abokan ciniki ta yin amfani da ƙwarewar aiki mai ban sha'awa don OEM / ODM GaN-Basedepitaxial akan Sic Substrates 4′′, Muna mai da hankali kan gina alamar kansa kuma a hade tare da gogaggun maganganu da kayan aiki na farko. . Kayan mu da kuke da daraja.
Haƙiƙa hanya ce mai kyau don haɓaka samfuranmu da mafita da gyarawa. Manufar mu ya kamata ta kasance don samar da samfuran ƙira da mafita ga abokan ciniki ta amfani da ƙwarewar aiki mai ban sha'awa donSin GaN Substrates da GaN Film, Tare da fadi da kewayon, inganci mai kyau, farashi masu dacewa da kayayyaki masu salo, kayan kasuwancinmu suna amfani da su sosai a cikin kyau da sauran masana'antu. Samfuran mu da mafita an san su sosai kuma masu amfani sun amince da su kuma suna iya saduwa da ci gaba da canjin tattalin arziki da bukatun zamantakewa.

SiC shafi graphite MOCVD Wafer masu ɗaukar kaya

Dukan abubuwan da muke ɗauka an yi su ne da graphite mai ƙarfi mai ƙarfi. Amfana daga babban tsarki na mu graphites - ɓullo da musamman ga kalubale matakai kamar epitaxy, crystal girma, ion implantation da plasma etching, kazalika da samar da LED kwakwalwan kwamfuta.

Bayanin Samfura
Rufin SiC na ginshiƙi na Graphite don aikace-aikacen Semiconductor yana samar da wani yanki tare da mafi girman tsabta da juriya ga yanayin iskar oxygen.
Ana amfani da CVD SiC ko CVI SiC zuwa Graphite na sassa na ƙira mai sauƙi ko hadaddun. Ana iya amfani da sutura a cikin kauri daban-daban kuma zuwa manyan sassa.

Compon

Fa'idodi na musamman na masu ɗaukar hoto na SiC-mai rufi sun haɗa da tsaftar tsafta, rufin kamanni da kyakkyawar rayuwar sabis. Suna kuma da babban juriya na sinadarai da kaddarorin kwanciyar hankali na thermal.

Muna kula da haƙuri sosai lokacin da ake amfani da suturar SiC, ta yin amfani da mashin ɗin daidaitaccen mashin don tabbatar da ingantaccen bayanin martaba na susceptor. Har ila yau, muna samar da kayan aiki tare da ingantattun kaddarorin juriya na lantarki don amfani da su a cikin tsarin dumama. Duk abubuwan da aka gama sun zo tare da tsafta da takaddar yarda da girma.

Aikace-aikace:

Siffofin:
· Kyakkyawan Juriya na Shock Thermal
· Kyakkyawan juriya na girgiza jiki
· Kyakkyawan Juriya na Chemical
· Super High Tsafta
· Samuwar a cikin Siffar Maɗaukaki
Ana iya amfani da shi a ƙarƙashin Oxidizing AtmosphereAbubuwan Haɓaka na Kayan Gilashin Gindi:

Haƙiƙa hanya ce mai kyau don haɓaka samfuranmu da mafita da gyarawa. Manufarmu ita ce samar da samfurori masu ƙima da mafita ga abokan ciniki ta yin amfani da ƙwarewar aiki mai ban sha'awa don OEM / ODM GaN-Basedepitaxial akan Sic Substrates 4′′, Muna mai da hankali kan gina alamar kansa kuma a hade tare da gogaggun maganganu da kayan aiki na farko. . Kayan mu da kuke da daraja.
Jumla OEM/ODMSin GaN Substrates da GaN Film, Tare da fadi da kewayon, inganci mai kyau, farashi masu dacewa da kayayyaki masu salo, kayan kasuwancinmu suna amfani da su sosai a cikin kyau da sauran masana'antu. Samfuran mu da mafita an san su sosai kuma masu amfani sun amince da su kuma suna iya saduwa da ci gaba da canjin tattalin arziki da bukatun zamantakewa.