SiC સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ સિરામિક બુશિંગ

ટૂંકું વર્ણન:

રાસાયણિક રચના: સિલિકોન કાર્બાઇડ

કઠિનતા:≥110 HS

ઘનતા:3.10-3.15 g/cm3

બેન્ડિંગ સ્ટ્રેન્થ:>350MPa

થર્મલ વાહકતા:>120

અમને ઇમેઇલ મોકલો PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ સિરામિક બુશિંગ

પ્રેશરલેસ સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ (SSIC)સિન્ટરિંગ એડિટિવ્સ ધરાવતા ખૂબ જ ઝીણા SiC પાવડરનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. તે અન્ય સિરામિક્સ માટે લાક્ષણિક ફોર્મિંગ પદ્ધતિઓનો ઉપયોગ કરીને પ્રક્રિયા કરવામાં આવે છે અને તેને નિષ્ક્રિય ગેસ વાતાવરણમાં 2,000 થી 2,200 ° સે તાપમાને સિન્ટર કરવામાં આવે છે. તેમજ ઝીણા દાણાવાળા સંસ્કરણો, અનાજના કદ < 5 um સાથે, 1.5 સુધીના અનાજના કદ સાથે બરછટ-દાણાવાળા સંસ્કરણો. મીમી ઉપલબ્ધ છે.

SSIC એ ઉચ્ચ શક્તિ દ્વારા અલગ પડે છે જે ખૂબ ઊંચા તાપમાન (આશરે 1,600 ° સે) સુધી લગભગ સ્થિર રહે છે, જે લાંબા સમય સુધી તે તાકાત જાળવી રાખે છે!

ઉત્પાદન ફાયદા:

ઉચ્ચ તાપમાન ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર

ઉત્તમ કાટ પ્રતિકાર

સારી ઘર્ષણ પ્રતિકાર

ગરમી વાહકતાનું ઉચ્ચ ગુણાંક
સ્વ-લુબ્રિસિટી, ઓછી ઘનતા
ઉચ્ચ કઠિનતા
કસ્ટમાઇઝ્ડ ડિઝાઇન.

તકનીકી ગુણધર્મો:

વસ્તુઓ	એકમ	ડેટા
કઠિનતા	HS	≥110
છિદ્રાળુતા દર	%	<0.3
ઘનતા	g/cm3	3.10-3.15
સંકુચિત	MPa	>2200
ફ્રેક્ચરલ સ્ટ્રેન્થ	MPa	>350
વિસ્તરણનો ગુણાંક	10/°C	4.0
Sic ની સામગ્રી	%	≥99
થર્મલ વાહકતા	W/mk	>120
સ્થિતિસ્થાપક મોડ્યુલસ	GPa	≥400
તાપમાન	°C	1380