ઉત્પાદનDવર્ણન
સિલિકોન કાર્બાઇડ વેફર બોટનો ઉચ્ચ તાપમાન પ્રસરણ પ્રક્રિયામાં વેફર ધારક તરીકે વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે.
ફાયદા:
ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર:1800 ℃ પર સામાન્ય ઉપયોગ
ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા:ગ્રેફાઇટ સામગ્રીની સમકક્ષ
ઉચ્ચ કઠિનતા:કઠિનતા હીરા, બોરોન નાઇટ્રાઇડ પછી બીજા ક્રમે છે
કાટ પ્રતિકાર:મજબૂત એસિડ અને આલ્કલીને તેમાં કોઈ કાટ નથી, કાટ પ્રતિકાર ટંગસ્ટન કાર્બાઇડ અને એલ્યુમિના કરતાં વધુ સારી છે
હલકો વજન:ઓછી ઘનતા, એલ્યુમિનિયમની નજીક
કોઈ વિરૂપતા નથી: થર્મલ વિસ્તરણનો ઓછો ગુણાંક
થર્મલ આંચકો પ્રતિકાર:તે તાપમાનના તીવ્ર ફેરફારોનો સામનો કરી શકે છે, થર્મલ આંચકાનો પ્રતિકાર કરી શકે છે અને સ્થિર કામગીરી ધરાવે છે
SiC ના ભૌતિક ગુણધર્મો
| મિલકત | મૂલ્ય | પદ્ધતિ |
| ઘનતા | 3.21 ગ્રામ/સીસી | સિંક-ફ્લોટ અને પરિમાણ |
| ચોક્કસ ગરમી | 0.66 J/g °K | સ્પંદનીય લેસર ફ્લેશ |
| ફ્લેક્સરલ તાકાત | 450 MPa560 MPa | 4 પોઈન્ટ બેન્ડ, RT4 પોઈન્ટ બેન્ડ, 1300° |
| અસ્થિભંગની કઠિનતા | 2.94 MPa m1/2 | માઇક્રોઇન્ડેન્ટેશન |
| કઠિનતા | 2800 | વિકર્સ, 500 ગ્રામ લોડ |
| સ્થિતિસ્થાપક મોડ્યુલસ યંગનું મોડ્યુલસ | 450 GPa430 GPa | 4 pt બેન્ડ, RT4 pt બેન્ડ, 1300 °C |
| અનાજનું કદ | 2 - 10 µm | SEM |
SiC ની થર્મલ પ્રોપર્ટીઝ
| થર્મલ વાહકતા | 250 W/m °K | લેસર ફ્લેશ પદ્ધતિ, RT |
| થર્મલ વિસ્તરણ (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | રૂમનું તાપમાન 950 °C, સિલિકા ડિલાટોમીટર |
