PSS Etch વાહક

ટૂંકું વર્ણન:

મૂળ સ્થાન:ચીન

ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર:FCCβ તબક્કો

ઘનતા:3.21 ગ્રામ/સેમી;

કઠિનતા:2500 વિકર્સ;

અનાજનું કદ:2~10μm;

રાસાયણિક શુદ્ધતા:99.99995%;

ગરમી ક્ષમતા:640J·kg-1·K-1;

સબલાઈમેશન તાપમાન:2700℃;

ફેલેક્સરલ સ્ટ્રેન્થ:415 MPa (RT 4-Point);

યુવાનનું મોડ્યુલસ:430 Gpa (4pt બેન્ડ, 1300℃);

થર્મલ વિસ્તરણ (CTE):4.5 10-6K-1;

થર્મલ વાહકતા:300 (W/MK);

અમને ઇમેઇલ મોકલો PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

ઉત્પાદન વર્ણન

અમારી કંપની ગ્રેફાઇટ, સિરામિક્સ અને અન્ય સામગ્રીની સપાટી પર CVD પદ્ધતિ દ્વારા SiC કોટિંગ પ્રક્રિયા સેવાઓ પૂરી પાડે છે, જેથી કાર્બન અને સિલિકોન ધરાવતા વિશિષ્ટ વાયુઓ ઉચ્ચ તાપમાને પ્રતિક્રિયા આપે જેથી ઉચ્ચ શુદ્ધતા SiC પરમાણુઓ, કોટેડ સામગ્રીની સપાટી પર જમા થયેલ અણુઓ, SIC રક્ષણાત્મક સ્તરની રચના.

મુખ્ય લક્ષણો:

1. ઉચ્ચ તાપમાન ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર:

જ્યારે તાપમાન 1600 સે જેટલું ઊંચું હોય ત્યારે ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર હજુ પણ ખૂબ જ સારો હોય છે.

2. ઉચ્ચ શુદ્ધતા : ઉચ્ચ તાપમાન ક્લોરીનેશનની સ્થિતિ હેઠળ રાસાયણિક વરાળના જથ્થા દ્વારા બનાવવામાં આવે છે.

3. ધોવાણ પ્રતિકાર: ઉચ્ચ કઠિનતા, કોમ્પેક્ટ સપાટી, દંડ કણો.

4. કાટ પ્રતિકાર: એસિડ, આલ્કલી, મીઠું અને કાર્બનિક રીએજન્ટ્સ.

CVD-SIC કોટિંગની મુખ્ય વિશિષ્ટતાઓ

SiC-CVD ગુણધર્મો
ક્રિસ્ટલ સ્ટ્રક્ચર	FCC β તબક્કો
ઘનતા	g/cm ³	3.21
કઠિનતા	વિકર્સ કઠિનતા	2500
અનાજનું કદ	μm	2~10
રાસાયણિક શુદ્ધતા	%	99.99995
ગરમી ક્ષમતા	J·kg-1 ·K-1	640
સબલાઈમેશન તાપમાન	℃	2700
ફેલેક્સરલ સ્ટ્રેન્થ	MPa (RT 4-પોઇન્ટ)	415
યંગનું મોડ્યુલસ	Gpa (4pt બેન્ડ, 1300℃)	430
થર્મલ વિસ્તરણ (CTE)	10-6K-1	4.5
થર્મલ વાહકતા	(W/mK)	300