SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલ એ ગ્રુપ IV-IV કમ્પાઉન્ડ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલ છે જે 1:1 ના સ્ટોઇકિયોમેટ્રિક રેશિયોમાં બે તત્વો, Si અને Cથી બનેલું છે.તેની કઠિનતા હીરા પછી બીજા ક્રમે છે.
SiC તૈયાર કરવા માટે સિલિકોન ઓક્સાઇડ પદ્ધતિનો કાર્બન ઘટાડો મુખ્યત્વે નીચેના રાસાયણિક પ્રતિક્રિયા સૂત્ર પર આધારિત છે:
સિલિકોન ઓક્સાઇડના કાર્બન ઘટાડાની પ્રતિક્રિયા પ્રક્રિયા પ્રમાણમાં જટિલ છે, જેમાં પ્રતિક્રિયા તાપમાન અંતિમ ઉત્પાદનને સીધી અસર કરે છે.
સિલિકોન કાર્બાઇડની તૈયારીની પ્રક્રિયામાં, કાચા માલને પ્રથમ પ્રતિકારક ભઠ્ઠીમાં મૂકવામાં આવે છે.પ્રતિકારક ભઠ્ઠીમાં મધ્યમાં ગ્રેફાઇટ ઇલેક્ટ્રોડ સાથે બંને છેડે અંતિમ દિવાલોનો સમાવેશ થાય છે, અને ભઠ્ઠી કોર બે ઇલેક્ટ્રોડને જોડે છે.ફર્નેસ કોરની પરિઘ પર, પ્રતિક્રિયામાં ભાગ લેતી કાચી સામગ્રી પ્રથમ મૂકવામાં આવે છે, અને પછી ગરમી જાળવણી માટે વપરાતી સામગ્રી પરિઘ પર મૂકવામાં આવે છે.જ્યારે સ્મેલ્ટિંગ શરૂ થાય છે, ત્યારે પ્રતિકારક ભઠ્ઠી સક્રિય થાય છે અને તાપમાન 2,600 થી 2,700 ડિગ્રી સેલ્સિયસ સુધી વધે છે.ઇલેક્ટ્રિક હીટ એનર્જી ફર્નેસ કોરની સપાટી દ્વારા ચાર્જમાં સ્થાનાંતરિત થાય છે, જેના કારણે તે ધીમે ધીમે ગરમ થાય છે.જ્યારે ચાર્જનું તાપમાન 1450 ડિગ્રી સેલ્સિયસથી વધી જાય છે, ત્યારે સિલિકોન કાર્બાઇડ અને કાર્બન મોનોક્સાઇડ ગેસ ઉત્પન્ન કરવા માટે રાસાયણિક પ્રતિક્રિયા થાય છે.જેમ જેમ ગંધવાની પ્રક્રિયા ચાલુ રહેશે તેમ, ચાર્જમાં ઉચ્ચ-તાપમાન વિસ્તાર ધીમે ધીમે વિસ્તરશે, અને સિલિકોન કાર્બાઇડનું પ્રમાણ પણ વધશે.ભઠ્ઠીમાં સિલિકોન કાર્બાઇડ સતત બને છે, અને બાષ્પીભવન અને હલનચલન દ્વારા, સ્ફટિકો ધીમે ધીમે વધે છે અને અંતે નળાકાર સ્ફટિકોમાં ભેગા થાય છે.
2,600 ડિગ્રી સેલ્સિયસથી વધુ તાપમાનના કારણે ક્રિસ્ટલની અંદરની દિવાલનો ભાગ વિઘટિત થવા લાગે છે.વિઘટન દ્વારા ઉત્પાદિત સિલિકોન તત્વ ચાર્જમાં રહેલા કાર્બન તત્વ સાથે ફરીથી જોડાઈને નવી સિલિકોન કાર્બાઈડ બનાવશે.
જ્યારે સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) ની રાસાયણિક પ્રતિક્રિયા પૂર્ણ થાય અને ભઠ્ઠી ઠંડુ થાય, ત્યારે આગળનું પગલું શરૂ થઈ શકે છે.પ્રથમ, ભઠ્ઠીની દિવાલોને તોડી પાડવામાં આવે છે, અને પછી ભઠ્ઠીમાં કાચો માલ પસંદ કરવામાં આવે છે અને સ્તર દ્વારા સ્તરને વર્ગીકૃત કરવામાં આવે છે.અમે જોઈતા દાણાદાર સામગ્રી મેળવવા માટે પસંદ કરેલા કાચા માલને કચડી નાખવામાં આવે છે.આગળ, કાચા માલની અશુદ્ધિઓને પાણીથી ધોઈને અથવા એસિડ અને આલ્કલી સોલ્યુશન વડે સાફ કરીને તેમજ ચુંબકીય વિભાજન અને અન્ય પદ્ધતિઓ દ્વારા દૂર કરવામાં આવે છે.સાફ કરેલા કાચા માલને સૂકવવાની જરૂર છે અને પછી ફરીથી તપાસવામાં આવે છે, અને અંતે શુદ્ધ સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડર મેળવી શકાય છે.જો જરૂરી હોય તો, આ પાઉડરને વાસ્તવિક ઉપયોગ અનુસાર આગળ પ્રક્રિયા કરી શકાય છે, જેમ કે આકાર આપવો અથવા ઝીણું ગ્રાઇન્ડીંગ, ઝીણા સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડર બનાવવા માટે.
ચોક્કસ પગલાં નીચે મુજબ છે:
(1) કાચો માલ
ગ્રીન સિલિકોન કાર્બાઇડ માઇક્રો પાવડર બરછટ લીલા સિલિકોન કાર્બાઇડને કચડીને બનાવવામાં આવે છે.સિલિકોન કાર્બાઇડની રાસાયણિક રચના 99% થી વધુ હોવી જોઈએ, અને મુક્ત કાર્બન અને આયર્ન ઓક્સાઇડ 0.2% કરતા ઓછું હોવું જોઈએ.
(2) તૂટેલું
સિલિકોન કાર્બાઇડ રેતીને બારીક પાવડરમાં કચડી નાખવા માટે, હાલમાં ચીનમાં બે પદ્ધતિઓનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, એક તૂટક તૂટક ભીની બોલ મિલ ક્રશિંગ, અને બીજી એરફ્લો પાવડર મિલનો ઉપયોગ કરીને ક્રશિંગ છે.
(3)ચુંબકીય વિભાજન
સિલિકોન કાર્બાઇડ પાવડરને બારીક પાવડરમાં કચડી નાખવા માટે કઈ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરવામાં આવે તે મહત્વનું નથી, સામાન્ય રીતે ભીનું ચુંબકીય વિભાજન અને યાંત્રિક ચુંબકીય વિભાજનનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે.આનું કારણ એ છે કે ભીના ચુંબકીય વિભાજન દરમિયાન કોઈ ધૂળ હોતી નથી, ચુંબકીય સામગ્રી સંપૂર્ણપણે અલગ થઈ જાય છે, ચુંબકીય વિભાજન પછીના ઉત્પાદનમાં ઓછું આયર્ન હોય છે, અને ચુંબકીય પદાર્થો દ્વારા લેવામાં આવેલ સિલિકોન કાર્બાઈડ પાવડર પણ ઓછો હોય છે.
(4) પાણીનું વિભાજન
પાણીને અલગ કરવાની પદ્ધતિનો મૂળભૂત સિદ્ધાંત એ છે કે કણોના કદનું વર્ગીકરણ કરવા માટે પાણીમાં અલગ-અલગ વ્યાસના સિલિકોન કાર્બાઇડ કણોની અલગ-અલગ સ્થાયી ઝડપનો ઉપયોગ કરવો.
(5) અલ્ટ્રાસોનિક સ્ક્રીનીંગ
અલ્ટ્રાસોનિક ટેક્નોલોજીના વિકાસ સાથે, તેનો ઉપયોગ માઇક્રો-પાઉડર ટેક્નોલોજીના અલ્ટ્રાસોનિક સ્ક્રિનિંગમાં પણ વ્યાપકપણે થયો છે, જે મૂળભૂત રીતે મજબૂત શોષણ, સરળ એકત્રીકરણ, ઉચ્ચ સ્થિર વીજળી, ઉચ્ચ સૂક્ષ્મતા, ઉચ્ચ ઘનતા અને પ્રકાશ વિશિષ્ટ ગુરુત્વાકર્ષણ જેવી સ્ક્રીનિંગ સમસ્યાઓને હલ કરી શકે છે. .
(6) ગુણવત્તા નિરીક્ષણ
માઇક્રોપાવડર ગુણવત્તા નિરીક્ષણમાં રાસાયણિક રચના, કણોના કદની રચના અને અન્ય વસ્તુઓનો સમાવેશ થાય છે.નિરીક્ષણ પદ્ધતિઓ અને ગુણવત્તાના ધોરણો માટે, કૃપા કરીને "સિલિકોન કાર્બાઇડ ટેકનિકલ શરતો" નો સંદર્ભ લો.
(7) ધૂળનું ઉત્પાદન પીસવું
સૂક્ષ્મ પાવડરને જૂથબદ્ધ અને સ્ક્રીનીંગ કર્યા પછી, સામગ્રીના વડાનો ઉપયોગ ગ્રાઇન્ડીંગ પાવડર તૈયાર કરવા માટે કરી શકાય છે.ગ્રાઇન્ડીંગ પાવડરનું ઉત્પાદન કચરો ઘટાડી શકે છે અને ઉત્પાદન સાંકળને વિસ્તારી શકે છે.
પોસ્ટ સમય: મે-13-2024