હોટ સેલ ચાઇના મિરર પોલિશ સિલિકોન કાર્બાઇડ નાઇટ્રાઇડ સિરામિક રોડ Si3n4 સિરામિક ટ્યુબ

ટૂંકું વર્ણન:

રાસાયણિક રચના: સિલિકોન કાર્બાઇડ

કઠિનતા:≥110 HS

ઘનતા:3.10-3.15 g/cm3

બેન્ડિંગ સ્ટ્રેન્થ:>350MPa

થર્મલ વાહકતા:>120

અમને ઇમેઇલ મોકલો PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

અમારી કંપનીનો ઉદ્દેશ્ય અમારા તમામ ગ્રાહકોને સેવા આપવાનું, અને નવી ટેક્નોલોજી અને નવા મશીનમાં સતત હૉટ સેલ ચાઇના મિરર પોલિશ સિલિકોન કાર્બાઇડ નાઇટ્રાઇડ સિરામિક રોડ Si3n4 સિરામિક ટ્યુબ માટે સતત કામ કરવાનો છે, શું તમે હજી પણ ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા ઉત્પાદનની શોધમાં છો કે જે ઉપલબ્ધ છે. તમારા ઉત્પાદન અથવા સેવા શ્રેણીને વિસ્તૃત કરતી વખતે તમારી સારી કોર્પોરેશનની છબી સાથે મળીને? અમારા ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા ઉકેલો અજમાવી જુઓ. તમારી પસંદગી બુદ્ધિશાળી હોવા માટે સાબિત થશે!
અમારી કંપનીનો ધ્યેય વિશ્વાસુપણે કાર્ય કરવાનો, અમારા તમામ ગ્રાહકોને સેવા આપવાનો અને નવી ટેકનોલોજી અને નવા મશીનમાં સતત કામ કરવાનો છે.ચાઇના સિલિકોન નાઇટ્રાઇડ, Si3n4 રોડ, અમે ઉકેલોના ઉત્ક્રાંતિ પર સતત આગ્રહ રાખ્યો છે, તકનીકી અપગ્રેડિંગમાં સારા ભંડોળ અને માનવ સંસાધનનો ખર્ચ કર્યો છે, અને તમામ દેશો અને પ્રદેશોની સંભાવનાઓની જરૂરિયાતોને પહોંચી વળવા, ઉત્પાદન સુધારણાની સુવિધા આપી છે.
સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ સિરામિક બુશિંગ

પ્રેશરલેસ સિન્ટર્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ (SSIC)સિન્ટરિંગ એડિટિવ્સ ધરાવતા ખૂબ જ ઝીણા SiC પાવડરનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. તે અન્ય સિરામિક્સ માટે લાક્ષણિક ફોર્મિંગ પદ્ધતિઓનો ઉપયોગ કરીને પ્રક્રિયા કરવામાં આવે છે અને તેને નિષ્ક્રિય ગેસ વાતાવરણમાં 2,000 થી 2,200 ° સે તાપમાને સિન્ટર કરવામાં આવે છે. તેમજ ઝીણા દાણાવાળા સંસ્કરણો, અનાજના કદ < 5 um સાથે, 1.5 સુધીના અનાજના કદ સાથે બરછટ-દાણાવાળા સંસ્કરણો. મીમી ઉપલબ્ધ છે.

SSIC એ ઉચ્ચ શક્તિ દ્વારા અલગ પડે છે જે ખૂબ ઊંચા તાપમાન (આશરે 1,600 ° સે) સુધી લગભગ સ્થિર રહે છે, જે લાંબા સમય સુધી તે તાકાત જાળવી રાખે છે!

ઉત્પાદન ફાયદા:

ઉચ્ચ તાપમાન ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર

ઉત્તમ કાટ પ્રતિકાર

સારી ઘર્ષણ પ્રતિકાર

ગરમી વાહકતાનું ઉચ્ચ ગુણાંક
સ્વ-લુબ્રિસિટી, ઓછી ઘનતા
ઉચ્ચ કઠિનતા
કસ્ટમાઇઝ્ડ ડિઝાઇન.

તકનીકી ગુણધર્મો:

વસ્તુઓ	એકમ	ડેટા
કઠિનતા	HS	≥110
છિદ્રાળુતા દર	%	<0.3
ઘનતા	g/cm3	3.10-3.15
સંકુચિત	MPa	>2200
ફ્રેક્ચરલ સ્ટ્રેન્થ	MPa	>350
વિસ્તરણનો ગુણાંક	10/°C	4.0
Sic ની સામગ્રી	%	≥99
થર્મલ વાહકતા	W/mk	>120
સ્થિતિસ્થાપક મોડ્યુલસ	GPa	≥400
તાપમાન	°C	1380