A tecnoloxía de fotolitografía céntrase principalmente no uso de sistemas ópticos para expor patróns de circuítos en obleas de silicio. A precisión deste proceso afecta directamente o rendemento e o rendemento dos circuítos integrados. Como un dos principais equipos para a fabricación de chips, a máquina de litografía contén ata centos de miles de compoñentes. Tanto os compoñentes ópticos como os compoñentes do sistema de litografía requiren unha precisión extremadamente alta para garantir o rendemento e precisión do circuíto.Cerámica SiCforon utilizados enmandriles de oblease espellos cadrados de cerámica.
Mandril de obleasO mandril da oblea da máquina de litografía soporta e move a oblea durante o proceso de exposición. O aliñamento preciso entre a oblea e o portabrocas é esencial para reproducir con precisión o patrón na superficie da oblea.Oblea de SiCOs portabrocas son coñecidos pola súa estabilidade dimensional lixeira e alta e baixo coeficiente de expansión térmica, que poden reducir as cargas inerciales e mellorar a eficiencia do movemento, a precisión de posicionamento e a estabilidade.
Espello cadrado de cerámica Na máquina de litografía, a sincronización do movemento entre o mandril de obleas e a etapa da máscara é crucial, o que afecta directamente a precisión e o rendemento da litografía. O reflector cadrado é un compoñente clave do sistema de medición de retroalimentación de posicionamento de escaneo de portabrocas e os seus requisitos materiais son lixeiros e estritos. Aínda que as cerámicas de carburo de silicio teñen propiedades lixeiras ideais, a fabricación destes compoñentes é un reto. Actualmente, os principais fabricantes internacionais de equipos de circuítos integrados utilizan principalmente materiais como a sílice fundida e a cordierita. Non obstante, co avance da tecnoloxía, os expertos chineses lograron a fabricación de espellos cadrados de cerámica de carburo de silicio de gran tamaño, de forma complexa, moi lixeiros e totalmente pechados e outros compoñentes ópticos funcionais para máquinas de fotolitografía. A fotomáscara, tamén coñecida como abertura, transmite luz a través da máscara para formar un patrón sobre o material fotosensible. Non obstante, cando a luz EUV irradia a máscara, emite calor, elevando a temperatura de 600 a 1000 graos Celsius, o que pode causar danos térmicos. Polo tanto, adoita depositarse unha capa de película de SiC sobre a fotomáscara. Moitas empresas estranxeiras, como ASML, ofrecen agora películas cunha transmitancia superior ao 90% para reducir a limpeza e inspección durante o uso da fotomáscara e mellorar a eficiencia e o rendemento do produto das máquinas fotolitografía EUV.
Gravado por plasmae As fotomáscaras de deposición, tamén coñecidas como punto de mira, teñen a función principal de transmitir luz a través da máscara e formar un patrón sobre o material fotosensible. Non obstante, cando a luz EUV (ultravioleta extrema) irradia a fotomáscara, esta emite calor, elevando a temperatura a entre 600 e 1000 graos centígrados, o que pode causar danos térmicos. Polo tanto, unha capa de película de carburo de silicio (SiC) adoita depositarse sobre a fotomáscara para paliar este problema. Na actualidade, moitas empresas estranxeiras, como ASML, comezaron a proporcionar películas cunha transparencia superior ao 90% para reducir a necesidade de limpeza e inspección durante o uso da fotomáscara, mellorando así a eficiencia e o rendemento do produto das máquinas de litografía EUV. . Gravado por plasma eAnel de foco de deposicióne outros Na fabricación de semicondutores, o proceso de gravado usa gravadores líquidos ou gaseosos (como gases que conteñen flúor) ionizados en plasma para bombardear a oblea e eliminar selectivamente materiais non desexados ata que o patrón de circuíto desexado permanece no plano.hostiasuperficie. Pola contra, a deposición de película delgada é semellante ao reverso do gravado, utilizando un método de deposición para apilar materiais illantes entre capas metálicas para formar unha película delgada. Dado que ambos procesos utilizan tecnoloxía de plasma, son propensos a efectos corrosivos sobre cámaras e compoñentes. Polo tanto, os compoñentes do equipamento deben ter unha boa resistencia ao plasma, baixa reactividade aos gases de gravación do flúor e baixa condutividade. Os compoñentes tradicionais dos equipos de gravado e deposición, como os aneis de foco, adoitan estar feitos de materiais como silicio ou cuarzo. Non obstante, co avance da miniaturización de circuítos integrados, a demanda e a importancia dos procesos de gravado na fabricación de circuítos integrados están aumentando. A nivel microscópico, o gravado preciso de obleas de silicio require plasma de alta enerxía para conseguir un ancho de liña menor e estruturas de dispositivos máis complexas. Polo tanto, o carburo de silicio (SiC) de deposición química en vapor (CVD) converteuse gradualmente no material de revestimento preferido para os equipos de gravado e deposición coas súas excelentes propiedades físicas e químicas, a súa elevada pureza e uniformidade. Actualmente, os compoñentes de carburo de silicio CVD dos equipos de gravado inclúen aneis de foco, duchas de gas, bandexas e aneis de bordo. Nos equipos de deposición, hai cubertas de cámara, forros de cámara eSubstratos de grafito revestidos de SIC.
Debido á súa baixa reactividade e condutividade aos gases de gravado de cloro e flúor,Carburo de silicio CVDconverteuse nun material ideal para compoñentes como os aneis de foco en equipos de gravado por plasma.Carburo de silicio CVDos compoñentes dos equipos de gravado inclúen aneis de foco, duchas de gas, bandexas, aneis de bordo, etc. Tomemos como exemplo os aneis de enfoque, son compoñentes clave colocados fóra da oblea e en contacto directo coa oblea. Ao aplicar tensión ao anel, o plasma céntrase a través do anel na oblea, mellorando a uniformidade do proceso. Tradicionalmente, os aneis de foco están feitos de silicio ou cuarzo. Non obstante, a medida que avanza a miniaturización dos circuítos integrados, a demanda e a importancia dos procesos de gravado na fabricación de circuítos integrados segue aumentando. A potencia de gravado de plasma e os requisitos enerxéticos seguen aumentando, especialmente nos equipos de gravado de plasma acoplado capacitivamente (CCP), que requiren maior enerxía de plasma. Como resultado, está aumentando o uso de aneis de foco feitos de materiais de carburo de silicio.
Hora de publicación: 29-Oct-2024