Naidheachdan

Dè na h-uireasbhaidhean a th ’ann an còmhdach epitaxial silicon carbide
le rianaire air 24-06-05
Is e an teicneòlas bunaiteach airson fàs stuthan epitaxial SiC an toiseach teicneòlas smachd uireasbhaidhean, gu sònraichte airson teicneòlas smachd lochdan a tha dualtach fàilligeadh inneal no truailleadh earbsachd. Tha an sgrùdadh air uidheamachd lochdan substrate a’ leudachadh a-steach don epi ...
Leugh tuilleadh
Gràn seasamh oxidized agus teicneòlas fàs epitaxial-Ⅱ
le rianaire air 24-05-30
2. Fàs film tana epitaxial Tha an t-substrate a’ toirt seachad còmhdach taic corporra no còmhdach giùlain airson innealan cumhachd Ga2O3. Is e an ath ìre chudromach an còmhdach seanail no còmhdach epitaxial a thathas a’ cleachdadh airson strì an aghaidh bholtachd agus còmhdhail luchd-giùlain. Gus bholtaids briseadh a mheudachadh agus lughdachadh connaidh ...
Leugh tuilleadh
Criostal singilte Gallium oxide agus teicneòlas fàs epitaxial
le rianaire air 24-05-30
Tha semiconductors bandgap farsaing (WBG) air an riochdachadh le silicon carbide (SiC) agus gallium nitride (GaN) air aire fharsaing fhaighinn. Tha sùileachadh àrd aig daoine airson na tha san amharc airson silicon carbide ann an carbadan dealain agus grids cumhachd, a bharrachd air na tha san amharc airson gallium ...
Leugh tuilleadh
Dè na cnapan-starra teicnigeach a th’ ann an aghaidh silicon carbide?Ⅱ
le rianaire air 24-05-22
Tha na duilgheadasan teignigeach ann a bhith a’ dèanamh mòr-thoradh seasmhach air wafers carbide silicon àrd-inbhe le coileanadh seasmhach a’ toirt a-steach: 1) Leis gu feum criostalan fàs ann an àrainneachd ròin àrd-teòthachd os cionn 2000 ° C, tha na riatanasan smachd teothachd fìor àrd; 2) Leis gu bheil silicon carbide air ...
Leugh tuilleadh
Dè na bacaidhean teignigeach a th’ ann an silicon carbide?
le rianaire air 24-05-22
Tha a’ chiad ghinealach de stuthan semiconductor air a riochdachadh le silicon traidiseanta (Si) agus germanium (Ge), a tha nam bunait airson saothrachadh cuairteachaidh amalaichte. Tha iad air an cleachdadh gu farsaing ann an transistors agus lorgairean bholtachd ìosal, tricead ìosal agus cumhachd ìosal. Barrachd air 90% de thoraidhean semiconductor ...
Leugh tuilleadh
Ciamar a tha meanbh-phùdar SiC air a dhèanamh?
le rianaire air 24-05-13
Tha criostal singilte SiC na stuth semiconductor compound Buidheann IV-IV air a dhèanamh suas de dhà eileamaid, Si agus C, ann an co-mheas stoichiometric de 1: 1. Tha a chruas san dàrna àite a-mhàin ri daoimean. Tha an dòigh lughdachadh carbon de silicon oxide airson SiC ullachadh stèidhichte gu ìre mhòr air an fhoirmle ath-bhualadh ceimigeach a leanas ...
Leugh tuilleadh
Ciamar a chuidicheas sreathan epitaxial innealan semiconductor?
le rianaire air 24-05-13
Cò às a thàinig an t-ainm wafer epitaxial An toiseach, dèanamaid mòr-chòrdte air bun-bheachd beag: tha ullachadh wafer a’ toirt a-steach dà phrìomh cheangal: ullachadh substrate agus pròiseas epitaxial. Is e wafer a th’ anns an t-substrate air a dhèanamh de stuth criostail singilte semiconductor. Faodaidh an t-substrate a dhol a-steach gu dìreach gu saothrachadh wafer ...
Leugh tuilleadh
Ro-ràdh do theicneòlas tasgaidh film tana tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD).
le rianaire air 24-05-06
Tha tasgadh vapor ceimigeach (CVD) na theicneòlas tasgaidh film tana cudromach, gu tric air a chleachdadh gus grunn fhilmichean gnìomh agus stuthan còmhdach tana ullachadh, agus air a chleachdadh gu farsaing ann an saothrachadh semiconductor agus raointean eile. 1. Prionnsabal obrach CVD Anns a 'phròiseas CVD, tha ro-ruithear gas (aon no ...
Leugh tuilleadh
An dìomhair “òr dubh” air cùl a’ ghnìomhachais semiconductor photovoltaic: miann agus eisimeileachd air grafait isostatic
le rianaire air 24-05-06
Tha grafait isostatic na stuth glè chudromach ann an photovoltaics agus semiconductors. Le àrdachadh luath ann an companaidhean grafait isostatic dachaigheil, chaidh monopoly chompanaidhean cèin ann an Sìona a bhriseadh. Le rannsachadh is leasachadh neo-eisimeileach leantainneach agus adhartasan teicneòlach, tha an ...
Leugh tuilleadh