Naidheachdan

Seòrsan sònraichte de Graphite
le rianaire air 24-06-17
Tha grafait sònraichte na stuth grafait fìor-ghlan, dùmhlachd àrd agus àrd-neart agus tha deagh sheasamh an aghaidh creimeadh, seasmhachd teòthachd àrd agus deagh ghiùlan dealain. Tha e air a dhèanamh de ghrafite nàdarra no fuadain às deidh làimhseachadh teas àrd teòthachd agus giollachd cuideam àrd ...
Leugh tuilleadh
Mion-sgrùdadh air uidheamachd tasgaidh film tana - prionnsapalan agus cleachdadh uidheamachd PECVD / LPCVD / ALD
le rianaire air 24-06-12
Is e tasgadh film tana a bhith a’ còmhdach còmhdach film air prìomh stuth substrate an semiconductor. Faodar am film seo a dhèanamh de dhiofar stuthan, leithid insaladh silicon dà-ogsaid todhar, polysilicon semiconductor, copar meatailt, msaa. Canar tasgadh film tana ris an uidheamachd a thathas a’ cleachdadh airson còmhdach...
Leugh tuilleadh
Stuthan cudromach a tha a’ dearbhadh càileachd fàs silicon monocrystalline - raon teirmeach
le rianaire air 24-06-12
Tha am pròiseas fàis de silicon monocrystalline air a dhèanamh gu tur anns an raon teirmeach. Tha raon teirmeach math cuideachail airson càileachd criostalan a leasachadh agus tha èifeachdas criostalachaidh nas àirde aige. Tha dealbhadh an raon teirmeach gu ìre mhòr a’ dearbhadh na h-atharrachaidhean ann an caisead teòthachd ...
Leugh tuilleadh
Dè na duilgheadasan teicnigeach a th’ aig fùirneis fàs criostal silicon carbide?
le rianaire air 24-06-07
Is e an fhùirneis fàs criostail am prìomh uidheamachd airson fàs criostail silicon carbide. Tha e coltach ris an fhùirneis fàs criostail ìre silicon criostalach traidiseanta. Chan eil structar an fhùirneis gu math iom-fhillte. Tha e gu ìre mhòr air a dhèanamh suas de bhodhaig fùirneis, siostam teasachaidh, inneal tar-chuir coil ...
Leugh tuilleadh
Dè na h-uireasbhaidhean a th ’ann an còmhdach epitaxial silicon carbide
le rianaire air 24-06-05
Is e an teicneòlas bunaiteach airson fàs stuthan epitaxial SiC an toiseach teicneòlas smachd uireasbhaidhean, gu sònraichte airson teicneòlas smachd lochdan a tha dualtach fàilligeadh inneal no truailleadh earbsachd. Tha an sgrùdadh air uidheamachd lochdan substrate a’ leudachadh a-steach don epi ...
Leugh tuilleadh
Gràn seasamh oxidized agus teicneòlas fàs epitaxial-Ⅱ
le rianaire air 24-05-30
2. Fàs film tana epitaxial Tha an t-substrate a’ toirt seachad còmhdach taic corporra no còmhdach giùlain airson innealan cumhachd Ga2O3. Is e an ath ìre chudromach an còmhdach seanail no còmhdach epitaxial a thathas a’ cleachdadh airson strì an aghaidh bholtachd agus còmhdhail luchd-giùlain. Gus bholtaids briseadh a mheudachadh agus lughdachadh connaidh ...
Leugh tuilleadh
Criostal singilte Gallium oxide agus teicneòlas fàs epitaxial
le rianaire air 24-05-30
Tha semiconductors bandgap farsaing (WBG) air an riochdachadh le silicon carbide (SiC) agus gallium nitride (GaN) air aire fharsaing fhaighinn. Tha sùileachadh àrd aig daoine airson na tha san amharc airson silicon carbide ann an carbadan dealain agus grids cumhachd, a bharrachd air na tha san amharc airson gallium ...
Leugh tuilleadh
Dè na cnapan-starra teicnigeach a th’ ann an aghaidh silicon carbide?Ⅱ
le rianaire air 24-05-22
Tha na duilgheadasan teignigeach ann a bhith a’ dèanamh mòr-thoradh seasmhach air wafers carbide silicon àrd-inbhe le coileanadh seasmhach a’ toirt a-steach: 1) Leis gu feum criostalan fàs ann an àrainneachd ròin àrd-teòthachd os cionn 2000 ° C, tha na riatanasan smachd teothachd fìor àrd; 2) Leis gu bheil silicon carbide air ...
Leugh tuilleadh
Dè na bacaidhean teignigeach a th’ ann an silicon carbide?
le rianaire air 24-05-22
Tha a’ chiad ghinealach de stuthan semiconductor air a riochdachadh le silicon traidiseanta (Si) agus germanium (Ge), a tha nam bunait airson saothrachadh cuairteachaidh amalaichte. Tha iad air an cleachdadh gu farsaing ann an transistors agus lorgairean bholtachd ìosal, tricead ìosal agus cumhachd ìosal. Barrachd air 90% de thoraidhean semiconductor ...
Leugh tuilleadh