SiC coating grafyt MOCVD Wafer dragers, grafyt Susceptors foar SiC Epitaxy,
Koalstof leveret susceptors, epitaksy susceptors, Grafyt leveret susceptors, Graphite Wafer Susceptors,

CVD-SiC coating hat de skaaimerken fan unifoarme struktuer, kompakt materiaal, hege temperatuer ferset, oksidaasje ferset, hege suverens, acid & alkali ferset en organysk reagens, mei stabile fysike en gemyske eigenskippen.

Yn ferliking mei hege suverens graphite materialen, grafyt begjint te oxidize at 400C, dat sil feroarsaakje in ferlies fan poeder fanwege oksidaasje, resultearret yn miljeu fersmoarging oan perifeare apparaten en fakuüm keamers, en tanimme ûnreinheden fan hege suverens omjouwing.

Lykwols, SiC coating kin hanthavenje fysike en gemyske stabiliteit op 1600 graden, It wurdt in soad brûkt yn moderne yndustry, benammen yn semiconductor yndustry.

Us bedriuw leveret tsjinsten foar SiC-coatingproses troch CVD-metoade op it oerflak fan grafyt, keramyk en oare materialen, sadat spesjale gassen dy't koalstof en silisium befetsje by hege temperatuer reagearje om SiC-molekulen mei hege suverens te krijen, molekulen ôfset op it oerflak fan 'e coated materialen, foarmje SIC beskermjende laach. De foarme SIC is stevich bûn oan 'e grafytbasis, wêrtroch't de grafytbasis spesjale eigenskippen jout, sadat it oerflak fan' e grafyt kompakt is, Porosity-frij, hege temperatuerresistinsje, korrosjebestriding en oksidaasjebestriding.

Haadfunksjes:

1. Hege temperatuer oksidaasjebestriding:

de oksidaasjebestriding is noch hiel goed as de temperatuer sa heech is as 1700 C.

2. Hege suverens: makke troch gemyske dampôfsetting ûnder hege temperatuer chlorination condition.

3. Erosion ferset: hege hurdens, kompakt oerflak, fyn dieltsjes.

4. Korrosjebestriding: soere, alkali, sâlt en organyske reagenzjes.

Haadspesifikaasjes fan CVD-SIC Coatings:

Supply Mooglikheid:

10000 Piece / Pieces per moanne
Ferpakking en levering:
Ferpakking: Standert en sterke ferpakking
Poly tas + doaze + karton + pallet
Haven:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Trochrintiid: