Silisiumkarbid (SiC)semiconductor materiaal is de meast folwoeksen ien ûnder de brede band gap semiconductors ûntwikkele. SiC semiconductor materialen hawwe grutte applikaasje potinsjeel yn hege temperatuer, hege frekwinsje, hege macht, photoelectronics en strieling resistant apparaten fanwege harren brede band gap, hege ôfbraak elektryske fjild, hege termyske conductivity, hege sêding elektroanen mobiliteit en lytsere grutte. Silisiumkarbid hat in breed oanbod fan tapassingen: fanwegen syn brede bângap kin it brûkt wurde om blauwe ljocht-emittearjende diodes of ultravioletdetektors te meitsjen dy't amper beynfloede wurde troch sinneljocht; Omdat de spanning of elektryske fjild kin wurde tolerearre acht kear as silisium of gallium arsenide, benammen geskikt foar manufacturing hege-voltage hege-power apparaten lykas hege-voltage diodes, macht triode, silisium kontrolearre en hege-power magnetron apparaten; Fanwegen de hege sêding elektroanen migraasje snelheid, kin wurde makke yn in ferskaat oan hege frekwinsje apparaten (RF en magnetron);Silisiumkarbidis in goede dirigint fan waarmte en fiert waarmte better as hokker oar semiconductor materiaal, dat makket silisium carbide apparaten wurkje by hege temperatueren.
As in spesifyk foarbyld is APEI op it stuit tariede op it ûntwikkeljen fan syn ekstreme omjouwing DC-motordrivesysteem foar NASA's Venus Explorer (VISE) mei silisiumkarbidkomponinten. Noch yn 'e ûntwerpfaze is it doel om ferkenningsrobots op it oerflak fan Venus te lânjen.
Boppedat, silicon carbidehat in sterke ionyske kovalente bân, it hat hege hurdens, termyske konduktiviteit oer koper, goede prestaasjes foar waarmteferbrûk, korrosjebestriding is heul sterk, strielingsresistinsje, hege temperatuerresistinsje en goede gemyske stabiliteit en oare eigenskippen, hat in breed oanbod fan tapassingen yn 'e fjild fan Aerospace technology. Bygelyks it brûken fan silisiumkarbidmaterialen om romtefarders foar te meitsjen foar astronauten, ûndersikers om te wenjen en te wurkjen.
Post tiid: Aug-01-2022