Grafytkomponinten mei hege suverens binne krúsjaal foarprosessen yn de semiconductor, LED en sinne yndustry. Us oanbod rint fan grafyt verbruiksartikelen foar kristal groeiende hjitte sônes (heaters, kroes susceptors, isolaasje), oan hege-precision grafyt komponinten foar wafer ferwurkjen apparatuer, lykas silisium carbid coated grafyt susceptors foar Epitaksy of MOCVD. Dit is wêr't ús spesjaliteit grafyt yn it spul komt: isostatysk grafyt is fûneminteel foar de produksje fan gearstalde semiconductor-lagen. De rotearjende drager dêr't de wafels yn 'e reaktor op bedekt binne, bestiet út silisiumkarbid-coated isostatysk grafyt. Allinnich dit tige suvere, homogene grafyt foldocht oan de hege easken yn it coatingproses.
Thy basisprinsipe fan LED epitaxial wafer groei is: op in substraat (benammen saffier, SiC en Si) ferwaarme oant in passende temperatuer, wurdt it gasfoarmige materiaal InGaAlP op in kontrolearre manier nei it substraatflak ferfierd om in spesifike single-kristalfilm te groeien. Op it stuit, de groei technology fan LED epitaxial wafer benammen oannimt organyske metalen gemyske damp deposition.
LED epitaxial substraat materiaalis de hoekstien fan de technologyske ûntwikkeling fan semiconductor ferljochting yndustry. Ferskillende substraatmaterialen hawwe ferskate LED-technology foar epitaksiale wafergroei nedich, technology foar chipferwurking en technology foar apparaatferpakking. Substraatmaterialen bepale de ûntwikkelingsrûte fan halfgeleiderljochttechnology.
Skaaimerken fan seleksje fan LED epitaksiale wafer substraat materiaal:
1. It epitaksiale materiaal hat deselde of ferlykbere kristalstruktuer mei it substraat, lyts rooster konstante mismatch, goede kristalliniteit en lege defektdichte
2. Goede ynterface-eigenskippen, befoarderlik foar de nukleaasje fan epitaksiale materialen en sterke adhesion
3. It hat goede gemyske stabiliteit en is net maklik te ûntbinen en corrode yn 'e temperatuer en sfear fan epitaxial groei
4. Goede thermyske prestaasjes, ynklusyf goede thermyske konduktiviteit en lege thermyske mismatch
5. Goede conductivity, kin makke wurde yn boppeste en legere struktuer 6, goede optyske prestaasjes, en it ljocht útstjoerd troch de fabrisearre apparaat wurdt minder opnomd troch it substraat
7. Goede meganyske eigenskippen en maklike ferwurking fan apparaten, ynklusyf tinjen, polearjen en snijden
8. Lege priis.
9. Grutte grutte. Yn 't algemien sil de diameter net minder wêze as 2 inch.
10. It is maklik om reguliere foarm substraat te krijen (útsein as der oare spesjale easken binne), en de substraatfoarm fergelykber mei it bakgat fan epitaksiale apparatuer is net maklik om unregelmjittige wervelstrom te foarmjen, sadat de epitaksiale kwaliteit beynfloedzje.
11. Op it útgongspunt om de epitaksiale kwaliteit net te beynfloedzjen, sil de ferwurkberens fan 'e substrat safolle mooglik foldwaan oan' e easken fan 'e folgjende chip- en ferpakkingsferwurking.
It is heul lestich foar de seleksje fan substraat om de boppesteande alve aspekten tagelyk te foldwaan. Dêrom kinne wy op it stuit allinich oanpasse oan 'e R & D en produksje fan semiconductor ljocht-emittearjende apparaten op ferskate substraten troch de feroaring fan epitaksiale groeitechnology en de oanpassing fan technology foar apparaatferwurking. D'r binne in protte substraatmaterialen foar galliumnitrideûndersyk, mar d'r binne mar twa substraten dy't brûkt wurde kinne foar produksje, nammentlik saffier Al2O3 en silisiumkarbidSiC substraten.
Post tiid: Febrewaris 28-2022