SiC hat poerbêste fysike en gemyske eigenskippen, lykas hege rimpelpunt, hege hurdens, corrosie ferset en oksidaasje ferset. Benammen yn it berik fan 1800-2000 ℃, SiC hat goede ablaasje ferset. Dêrom hat it brede tapassingsperspektyf yn loftfeart, wapenapparatuer en oare fjilden. SiC sels kin lykwols net brûkt wurde asin strukturelemateriaal,sadat de coating metoade wurdt meastal brûkt om gebrûk te meitsjen fan syn wear ferset en ablation resistance.
Silisiumkarbid(SIC) semiconductor materiaal is de tredde generaasje semiconductor materiaal ûntwikkele nei de earste generaasje elemint semiconductor materiaal (Si, GE) en de twadde generaasje gearstalde semiconductor materiaal (GaAs, gap, InP, ensfh). As in breed band gap semiconductor materiaal, silisium carbide hat de skaaimerken fan grutte band gap breedte, hege ôfbraak fjild sterkte, hege termyske conductivity, hege drager sêding drift snelheid, lytse dielectric konstante, sterke strieling ferset en goede gemyske stabiliteit. It kin brûkt wurde om ferskate apparaten mei hege frekwinsje en hege krêft te meitsjen mei hege temperatuerresistinsje en kin brûkt wurde yn gelegenheden wêr't silisiumapparaten ynkompetint binne, Of it effekt produsearje dat silisiumapparaten lestich binne te produsearjen yn algemiene tapassingen.
Main tapassing: brûkt foar wire cutting fan 3-12 inch monocrystalline silisium, polycrystalline silisium, kalium arsenide, quartz crystal, ensfh Engineering ferwurkjen materialen foar sinne photovoltaïsche yndustry, semiconductor yndustry en piezoelectric crystal yndustry.Brûkt ynsemiconductor, bliksem, circuit elemint, hege temperatuer applikaasje, ultraviolet detector, struktureel materiaal, astronomy, disc brake, clutch, diesel particulate filter, filament pyrometer, keramyske film, cutting ark, ferwaarming elemint, nukleêre brânstof, sieraden, stiel, beskermjende apparatuer, katalysator stipe en oare fjilden
Post tiid: Febrewaris 17-2022