SiC-coated grafytbasen wurde faak brûkt om ienkristalsubstraten te stypjen en te ferwaarmjen yn apparatuer foar metaal-organyske gemyske dampdeposysje (MOCVD). De termyske stabiliteit, termyske uniformiteit en oare prestaasjeparameters fan SiC-coated grafytbasis spylje in beslissende rol yn 'e kwaliteit fan groei fan epitaksiale materiaal, dus it is de kearn kaaibestân fan MOCVD-apparatuer.
Yn it proses fan wafelfabryk wurde epitaksiale lagen fierder oanlein op guon wafelsubstraten om de fabrikaazje fan apparaten te fasilitearjen. Typyske LED-ljocht-emittearjende apparaten moatte epitaksiale lagen fan GaAs op silisiumsubstraten tariede; De SiC epitaksiale laach wurdt groeid op de conductive SiC substraat foar de bou fan apparaten lykas SBD, MOSFET, ensfh, foar hege spanning, hege hjoeddeistige en oare macht applikaasjes; GaN epitaksiale laach is konstruearre op semi-isolearre SiC substraat om fierder te bouwen HEMT en oare apparaten foar RF applikaasjes lykas kommunikaasje. Dit proses is net te skieden fan CVD-apparatuer.
Yn 'e CVD-apparatuer kin it substraat net direkt op it metaal pleatst wurde of gewoan op in basis pleatst wurde foar epitaksiale ôfsetting, om't it giet om de gasstream (horizontaal, fertikaal), temperatuer, druk, fixaasje, fersmoarging fan fersmoarging en oare aspekten fan de ynfloed faktoaren. Dêrom is in basis nedich, en dan wurdt it substraat op 'e skiif pleatst, en dan wurdt de epitaksiale ôfsetting útfierd op' e substraat mei CVD-technology, en dizze basis is de SiC-coated grafytbasis (ek bekend as de tray).
SiC-coated grafytbasen wurde faak brûkt om ienkristalsubstraten te stypjen en te ferwaarmjen yn apparatuer foar metaal-organyske gemyske dampdeposysje (MOCVD). De termyske stabiliteit, termyske uniformiteit en oare prestaasjeparameters fan SiC-coated grafytbasis spylje in beslissende rol yn 'e kwaliteit fan groei fan epitaksiale materiaal, dus it is de kearn kaaibestân fan MOCVD-apparatuer.
Metal-organyske gemyske dampdeposysje (MOCVD) is de mainstreamtechnology foar de epitaksiale groei fan GaN-films yn blauwe LED. It hat de foardielen fan ienfâldige operaasje, kontrolearbere groei en hege suverens fan GaN films. As in wichtige komponint yn 'e reaksje keamer fan MOCVD apparatuer, de bearing basis brûkt foar GaN film epitaxial groei moat hawwe de foardielen fan hege temperatuer ferset, unifoarm termyske conductivity, goede gemyske stabiliteit, sterke termyske shock ferset, ensfh Graphite materiaal kin moetsje boppesteande betingsten.
As ien fan 'e kearnkomponinten fan MOCVD-apparatuer, is grafytbasis de drager en ferwaarmingslichem fan' e substraat, dy't de unifoarmens en suverens fan it filmmateriaal direkt bepaalt, sadat syn kwaliteit direkt ynfloed hat op 'e tarieding fan it epitaksiale blêd, en tagelyk tiid, mei de tanimming fan it oantal gebrûk en de feroaring fan arbeidsbetingsten, it is hiel maklik om te dragen, dy't hearre ta de verbruiksartikelen.
Hoewol grafyt hat poerbêste termyske konduktiviteit en stabiliteit, hat it in goede foardiel as basiskomponint fan MOCVD-apparatuer, mar yn it produksjeproses sil grafyt it poeder korrodearje fanwege it oerbliuwsel fan korrosive gassen en metallyske organyske stoffen, en de libbensdoer fan 'e grafytbasis sil gâns fermindere wurde. Tagelyk sil it fallende grafytpoeder fersmoarging oan 'e chip feroarsaakje.
It ûntstean fan coating technology kin soargje oerflak poeder fixation, ferbetterjen termyske conductivity, en equalize waarmte ferdieling, dat is wurden de wichtichste technology te lossen dit probleem. Graphite basis yn MOCVD apparatuer gebrûk omjouwing, grafyt basis oerflak coating moat foldwaan oan de folgjende skaaimerken:
(1) De grafytbasis kin folslein ynpakt wurde, en de tichtens is goed, oars is de grafytbasis maklik te korrodearjen yn it korrosive gas.
(2) De kombinaasjesterkte mei de grafytbasis is heech om te soargjen dat de coating net maklik is om te fallen nei ferskate hege temperatuer- en lege temperatuersyklusen.
(3) It hat goede gemyske stabiliteit te kommen coating falen yn hege temperatuer en corrosive sfear.
SiC hat de foardielen fan corrosie ferset, hege termyske conductivity, termyske shock ferset en hege gemyske stabiliteit, en kin wurkje goed yn GaN epitaxial sfear. Dêrnjonken ferskilt de termyske útwreidingskoëffisjint fan SiC heul lyts fan dy fan grafyt, sadat SiC it foarkommende materiaal is foar it oerflakcoating fan grafytbasis.
Op it stuit is de mienskiplike SiC benammen 3C, 4H en 6H-type, en it SiC-gebrûk fan ferskate kristaltypen is oars. Bygelyks, 4H-SiC kin produsearje hege-power apparaten; 6H-SiC is de meast stabile en kin produsearje fotoelektryske apparaten; Fanwegen syn ferlykbere struktuer as GaN, kin 3C-SiC wurde brûkt om GaN epitaksiale laach te produsearjen en SiC-GaN RF-apparaten te meitsjen. 3C-SiC is ek algemien bekend as β-SiC, en in wichtich gebrûk fan β-SiC is as film en coating materiaal, dus β-SiC is op it stuit it wichtichste materiaal foar coating.
Metoade foar it tarieden fan silisiumkarbidcoating
Op it stuit omfetsje de tariedingmetoaden fan SiC-coating benammen gel-sol-metoade, ynbêdingsmetoade, borstelcoatingmetoade, plasma-spuitmetoade, gemyske gasreaksjemetoade (CVR) en gemyske dampdeposysjemetoade (CVD).
Ynbedding metoade:
De metoade is in soarte fan hege temperatuer fêste faze sintering, dy't benammen brûkt it mingsel fan Si poeder en C poeder as it ynbêde poeder, de grafyt matrix wurdt pleatst yn de ynbêde poeder, en de hege temperatuer sintering wurdt útfierd yn it inerte gas , en úteinlik wurdt de SiC-coating op it oerflak fan 'e grafytmatrix krigen. It proses is ienfâldich en de kombinaasje tusken de coating en it substraat is goed, mar de uniformiteit fan de coating lâns de dikte rjochting is min, dat is maklik te produsearje mear gatten en liede ta minne oksidaasje ferset.
Brush coating metoade:
De boarstelcoatingmetoade is benammen om de floeibere grûnstof op it oerflak fan 'e grafytmatrix te poetsen, en dan de grûnstof op in bepaalde temperatuer te genêzen om de coating te meitsjen. It proses is ienfâldich en de kosten binne leech, mar de coating taret troch boarstel coating metoade is swak yn kombinaasje mei it substraat, de coating uniformiteit is min, de coating is tin en de oksidaasje ferset is leech, en oare metoaden binne nedich om te helpen it.
Plasma spuitmethode:
De plasma spuitmetoade is benammen om smolten as semi-smelte grûnstoffen op it oerflak fan 'e grafytmatrix te spuiten mei in plasmapistoal, en dan ferstevigje en binde om in coating te foarmjen. De metoade is ienfâldich te betsjinjen en kin in relatyf dichte silisiumkarbid-coating tariede, mar de silisiumkarbid-coating taret troch de metoade is faaks te swak en liedt ta swakke oksidaasjebestriding, dus it wurdt algemien brûkt foar de tarieding fan SiC-komposite-coating om te ferbetterjen de kwaliteit fan de coating.
Gel-sol metoade:
De gel-sol-metoade is benammen om in unifoarme en transparante sol-oplossing te meitsjen dy't it oerflak fan 'e matrix bedekt, droege yn in gel en dan sinterjen om in coating te krijen. Dizze metoade is ienfâldich te betsjinjen en leech yn kosten, mar de produsearre coating hat wat tekoarten lykas lege termyske skokbestriding en maklik kraken, dus it kin net breed brûkt wurde.
Chemical Gas Reaction (CVR):
CVR genereart benammen SiC-coating troch Si- en SiO2-poeder te brûken om SiO-stoom op hege temperatuer te generearjen, en in searje gemyske reaksjes komme op it oerflak fan C-materiaalsubstraat. De SiC coating taret troch dizze metoade is nau bûn oan it substraat, mar de reaksje temperatuer is heger en de kosten binne heger.
Chemical Vapor Deposition (CVD):
Op it stuit is CVD de wichtichste technology foar it tarieden fan SiC-coating op it substraatflak. It wichtichste proses is in rige fan fysike en gemyske reaksjes fan gas faze reactant materiaal op it substraat oerflak, en úteinlik wurdt de SiC coating taret troch deposition op it substraat oerflak. De SiC-coating taret troch CVD-technology is nau bûn oan it oerflak fan it substraat, wat de oksidaasjebestriding en ablative ferset fan it substraatmateriaal effektyf kin ferbetterje, mar de ôfsettingstiid fan dizze metoade is langer, en it reaksjegas hat in bepaalde giftige gas.
De merksituaasje fan SiC-coated grafytbasis
Doe't bûtenlânske fabrikanten betiid begûnen, hienen se in dúdlike foarsprong en in heech merkoandiel. Ynternasjonaal binne de mainstream-leveransiers fan SiC-coated grafytbasis Nederlânske Xycard, Dútslân SGL Carbon (SGL), Japan Toyo Carbon, de Feriene Steaten MEMC en oare bedriuwen, dy't yn prinsipe de ynternasjonale merk besette. Hoewol Sina hat trochbrutsen troch de kaai kearntechnology fan unifoarme groei fan SiC coating op it oerflak fan grafyt matrix, heechweardige grafyt matrix noch fertrout op Dútske SGL, Japan Toyo Carbon en oare bedriuwen, de grafyt matrix levere troch ynlânske bedriuwen hat ynfloed op de tsjinst libben troch termyske konduktiviteit, elastyske modulus, rigide modulus, roosterdefekten en oare kwaliteitsproblemen. De MOCVD-apparatuer kin net foldwaan oan 'e easken fan it gebrûk fan SiC-coated grafytbasis.
De Sineeske semiconductor-yndustry ûntwikkelet rap, mei de stadichoan tanimmen fan MOCVD-epitaksiale apparatuerlokalisaasjerate, en útwreiding fan oare prosesapplikaasjes, wurdt ferwachte dat de takomstige SiC-coated grafytbasisproduktmerk rap sil groeie. Neffens foarriedige rûzings fan 'e yndustry sil de ynlânske grafytbasismerk yn' e kommende jierren mear as 500 miljoen yuan wêze.
SiC coated grafyt basis is de kearn komponint fan gearstalde semiconductor yndustrialisaasje apparatuer, behearskjen fan de kaai kearn technology fan syn produksje en fabrikaazje, en it realisearjen fan de lokalisaasje fan de hiele grûnstof-proses-apparatuer yndustry keten is fan grutte strategyske betsjutting foar it garandearjen fan de ûntwikkeling fan Sina syn semiconductor yndustry. It fjild fan ynlânske SiC coated grafyt basis is booming, en de produkt kwaliteit kin berikke de ynternasjonale avansearre nivo gau.
Post tiid: Jul-24-2023