Nijs

Fuel Cell Membraan Electrode, Oanpast MEA -1
troch admin op 22-09-21
In membraan elektrodes assembly (MEA) is in gearstalde stack fan: Proton útwikseling membraan (PEM) Catalyst Gas Diffusion Layer (GDL) Spesifikaasjes fan membraan elektrodes gearkomste: Dikte 50 μm. Maten 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 of 100 cm2 aktive oerflakken. Catalyst Loading Anode = 0,5 ...
Lês mear
Lêste ynnovaasje oanpaste brânstofsel MEA foar elektryske ark / boaten / fytsen / scooters
troch admin op 22-09-21
In membraan elektrodes assembly (MEA) is in gearstalde stack fan: Proton útwikseling membraan (PEM) Catalyst Gas Diffusion Layer (GDL) Spesifikaasjes fan membraan elektrodes gearkomste: Dikte 50 μm. Maten 5 cm2, 16 cm2, 25 cm2, 50 cm2 of 100 cm2 aktive oerflakken. Catalyst Loading Anode = 0,5 ...
Lês mear
Ynlieding ta it tapassingsscenario fan technology foar wetterstofenerzjy
troch admin op 22-09-17

Lês mear
Automatysk reaktorproduksjeproses
troch admin op 22-09-17
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. Wy binne profesjonele fabrikant en leveransier mei ús eigen fabryk en ferkeapteam.
Lês mear
Twa elektryske fakuümpompen waarden nei Amearika ferstjoerd
troch admin op 22-09-14

Lês mear
Grafytfilt waard ferstjoerd nei Fietnam
troch admin op 22-09-14

Lês mear
SiC oksidaasje - resistinte coating waard taret op grafyt oerflak troch CVD proses
troch admin op 22-09-14
SiC coating kin wurde taret troch gemyske damp deposition (CVD), precursor transformaasje, plasma spuiten, ensfh De coating taret troch CHEMICAL damp deposition is unifoarm en kompakt, en hat goede designability. It brûken fan methyl trichlosilane. (CHzSiCl3, MTS) as silisium boarne, SiC coating tariede ...
Lês mear
Silisiumkarbidstruktuer
troch admin op 22-08-30
Trije haadtypen fan silisiumkarbidpolymorphen D'r binne sawat 250 kristallijne foarmen fan silisiumkarbid. Om't silisiumkarbid in searje homogene polytypen hat mei ferlykbere kristalstruktuer, hat silisiumkarbid de skaaimerken fan homogene polykristalline. Silisiumkarbid (Mosanite) ...
Lês mear
Undersyk status fan SiC yntegrearre circuit
troch admin op 22-08-23
Oars as S1C diskrete apparaten dy't hege spanning, hege krêft, hege frekwinsje en hege temperatuer skaaimerken folgje, is it ûndersyksdoel fan SiC yntegreare sirkwy benammen om hege temperatuer digitaal sirkwy te krijen foar yntelliginte macht ICs kontrôle circuit. As SiC yntegreare sirkwy foar ...
Lês mear