HOE IN SILICON WAFER MAKE
A wafelis in stik silisium rûchwei 1 millimeter dik dat hat in ekstreem plat oerflak tank oan prosedueres dy't technysk hiel easken. It folgjende gebrûk bepaalt hokker proseduere foar kristalgroei moat wurde brûkt. Yn it Czochralski-proses wurdt bygelyks it polykristallijne silisium smolten en wurdt in potlead-tin siedkristal yn it smelte silisium dipped. It siedkristal wurdt dan rotearre en stadich nei boppen lutsen. In tige swiere kolossus, in monokristall, resultaat. It is mooglik om de elektryske skaaimerken fan 'e monokristall te selektearjen troch lytse ienheden fan dopanten mei hege suverens ta te foegjen. De kristallen wurde doped yn oerienstimming mei de klant spesifikaasjes en dan gepolijst en snije yn plakjes. Nei ferskate ekstra produksjestappen krijt de klant syn spesifisearre wafers yn spesjale ferpakking, wêrtroch de klant de wafel direkt yn syn produksjeline kin brûke.
CZOCHRALSKI PROSES
Tsjintwurdich wurdt in grut part fan 'e silisiummonokristallen groeid neffens it Czochralski-proses, wêrby't it smelten fan polykristallyn heechsuver silisium yn in hypersuvere kwartskroes en it tafoegjen fan de dopant (meastentiids B, P, As, Sb) giet. In tinne, monokristalline siedkristal wurdt yn it smelte silisium dipped. In grut CZ kristal ûntwikkelet dan út dit tinne kristal. De krekte regeling fan 'e temperatuer en stream fan' e smolten silisium, de rotaasje fan it kristal en de kroes, lykas de snelheid fan it lûken fan it kristal resultearret yn in ekstreem hege kwaliteit monokristallijn silisium ingot.
FLOAT SONE METHODE
Monokristallen produsearre neffens de floatsônemetoade binne ideaal foar gebrûk yn krêfthalfgeleiderkomponinten, lykas IGBT's. In silindryske polycrystalline silisium ingot wurdt monteard oer in induction coil. In radiofrekwinsje elektromagnetysk fjild helpt it silisium te smelten fan it legere diel fan 'e roede. It elektromagnetyske fjild regelet de silisiumstream troch in lyts gat yn 'e induksjespoel en op' e monokristall dy't hjirûnder leit (floatsônemetoade). De doping, meastentiids mei B of P, wurdt berikt troch it tafoegjen fan gasfoarmige stoffen.
Post tiid: Jun-07-2021